[发明专利]用于传感器的联接装置有效

专利信息
申请号: 201810938618.0 申请日: 2018-08-17
公开(公告)号: CN109425378B 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: H·赛班德;M·施利兹库斯;S·海姆;S·莱赫伯格;V·诺特曼 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: G01D11/00 分类号: G01D11/00;H01R12/51;H01R12/72
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 苏娟;王楠
地址: 德国斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 传感器 联接 装置
【权利要求书】:

1.一种用于传感器(1)的联接装置(3),具有支撑单元(30)和电路板(40),该电路板承载电子电路(44),该电子电路具有至少一个电子和/或电气构件(44.1、44.2),其中,所述支撑单元(30)包括具有外轮廓(37)的基体(32)并且形成具有电气接触部位(34、34A)的外部接口(26),能通过该外部接口获取所述电子电路(44)的至少一个电气输出信号,其中,所述接触部位(34、34A)通过电气连接部与所述电路板(40)的对应的接触部位(46、46A、46B)进行电气连接,其特征在于,所述外部接口(26)的至少一个第一接触部位(34A)与所述电路板(40)的实施为第一接地部位(46A)的接触部位(46)连接,并且形成用于ESD/EMV干扰的第一放电路径,该第一放电路径提供给与第一接触部位(34A)接触的外部零件。

2.根据权利要求1所述的联接装置(3),其特征在于,所述支撑单元(30)包括至少一个有弹簧弹性的接触元件(38A),该接触元件布置在所述基体(32)的外轮廓(37)处。

3.根据权利要求2所述的联接装置(3),其特征在于,第一有弹簧弹性的接触元件(38A)与所述电路板(40)的实施为第二接地部位(46B)的接触部位(46)连接,该接触部位与第一接地部位(46A)电气连接并且是用于ESD/EMV干扰的第一放电路径的一部分。

4.根据权利要求2或3所述的联接装置(3),其特征在于,第二有弹簧弹性的接触元件与所述电路板(40)的实施为第三接地部位的接触部位连接,并且形成用于所述电路板(40)的ESD/EMV干扰的第二放电路径。

5.根据权利要求1或2所述的联接装置(3),其特征在于,在所述外部接口(26)的至少一个接触部位(34、34A)和所述电路板(40)的至少一个对应的接触部位(46、46A、46B)之间的至少一个电气连接部通过至少一个构造在所述基体(32)中的贯穿连接部来建立,该贯穿连接部与所述基体(32)中的至少一个相关的配合接触部位(36)电气连接,该配合接触部位又通过至少一个焊接连接部电气且机械地与所述电路板(40)的至少一个接触部位(46、46A、46B)连接。

6.根据权利要求5所述的联接装置(3),其特征在于,所述基体(32)为塑料注塑件,并且贯穿连接部与相关的配合接触部位(36)分别为冲裁网格。

7.根据权利要求1或2所述的联接装置(3),其特征在于,所述支撑单元(30)的基体(32)多件式地实施并且包括两个半壳(32.1、32.2),其中,每个半壳(32.1、32.2)具有所述外部接口(26)的至少一个接触部位(34、34A)和至少一个有弹簧弹性的接触元件(38A)。

8.一种传感器(1),具有保护套(20),在该保护套中布置有至少一个测量元件(50)、电路载体(60)、具有电路板(40)以及支撑单元(30)的联接装置(3),该电路板承载电子电路(44),该电子电路具有至少一个电子和/或电气构件(44.1、44.2),其中,通过所述支撑单元(30)能建立在所述电路板(40)和所述保护套(20)之间的至少一个导电连接,其特征在于,所述联接装置(3)根据权利要求1至7中任一项来实施,其中,所述支撑单元(30)的基体(32)通过至少一个有弹簧弹性的接触元件(38A)抵靠所述保护套(20)的内轮廓(22)来支撑,并且建立在所述电路板(40)和保护套(20)之间的至少一个导电连接。

9.根据权利要求8所述的传感器(1),其特征在于,所述外部接口(26)的第一接触部位(34A)通过所述电路板(40)的第一接地部位(46A)和第二接地部位(46B)、以及第一有弹簧弹性的接触元件(38A)形成用于ESD/EMV干扰的通至所述保护套(20)的第一放电路径,该第一放电路径提供给与所述第一接触部位(34A)接触的外部零件,其中,所述保护套(20)与地电势连接。

10.根据权利要求8或9所述的传感器(1),其特征在于,第二有弹簧弹性的接触元件将所述电路板(40)的第三接地部位和与地电势连接的保护套(20)连接,并且形成所述电路板(40)的用于ESD/EMV干扰的第二放电路径,该第二放电路径与用于ESD/EMV干扰的第一放电路径脱耦。

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