[发明专利]电阻式存储器元件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810927758.8 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110838542A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 王超鸿;李岱萤;蒋光浩;林榆瑄;陈宗铭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 元件 及其 制作方法 | ||
1.一种电阻式存储器元件，包括：
一第一电极层；
一电阻转态层，位于该第一电极层上，且包括一三元过渡金属氧化物；以及
一第二电极层，位于该电阻转态层上。
2.根据权利要求1所述的电阻式存储器元件，其中该三元过渡金属氧化物系选自于由钛硅氧化物(TixSiyO1-x-y)、硅铪氧化物(HfxSiyO1-x-y)、硅钨氧化物(WxSiyO1-x-y)、硅铝氧化物(AlxSiyO1-x-y)、硅铜氧化物(CuxSiyO1-x-y)、硅镍氧化物(NixSiyO1-x-y)、硅锗氧化物(GexSiyO1-x-y)、锗钛合金(TixGeyO1-x-y)、锗铝合金(AlxGeyO1-x-y)、锗钨合金(WxGeyO1-x-y)、锗铜合金(CuxGeyO1-x-y)、锗镍合金(NixGeyO1-x-y)钛钨合金(WxTiyO1-x-y)、铝铜合金(CuxAlyO1-x-y)、钛铝合金(AlxTiyO1-x-y)、钛铪合金(HfxTiyO1-x-y)以及上述的任意组合所组成的一组群。
3.根据权利要求1所述的电阻式存储器元件，更包括一金属氧化物层，位于该第一电极层与该第二电极层之间。
4.根据权利要求3所述的电阻式存储器元件，其中该金属氧化物层包括氧化钛(Titanium Oxide，TiOx)和氮氧化钛(TiON)其中之至少一者。
5.根据权利要求1所述的电阻式存储器元件，其中当施加多个设定/复位脉冲时，该电阻式存储器元件在介于10千欧姆(K-Ohm)至200千欧姆之间的一电阻值范围中，具有10到1024个电阻组态。
6.一种电阻式存储器元件的制作方法，包括：
提供一第一电极层；
于该第一电极层上，形成包括一三元过渡金属氧化物的一电阻转态层；
于该电阻转态层上，形成一第二电极层。
7.根据权利要求6所述的电阻式存储器元件的制作方法，其中形成该电阻转态层的步骤，包括：
于该第一电极层上，形成一第一过渡金属层以及与该第一过渡金属层不同的一材料层；
对该第一过渡金属层和该材料层进行一退火处理，形成一金属合金；以及
氧化该金属合金。
8.根据权利要求7所述的电阻式存储器元件的制作方法，其中该第一过渡金属层系先于或晚于该材料层形成。
9.根据权利要求7或8所述的电阻式存储器元件的制作方法，其中该第一过渡金属层包括钛，该材料层包括硅；且该第一过渡金属层具有大于该材料层的一厚度。
10.根据权利要求7或8所述的电阻式存储器元件的制作方法，其中该材料层是一第二过渡金属氧化物层，且该第二过渡金属层包括钨、钛、铝、镍、铜、锆、铌、钽和铪其中至少一者。
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