[发明专利]晶圆清洗设备及清洗方法有效
| 申请号： | 201810927521.X | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109216239B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;贾鹏;郭敦风 | 申请（专利权）人： | 广东利扬芯片测试股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 张艳美;郝传鑫 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 设备 方法 | ||
1.一种晶圆清洗设备，其特征在于，包括：
清洗台，所述清洗台设有清洗槽；
吸盘，所述吸盘位于所述清洗槽内，所述吸盘采用真空控制以吸附晶圆，其中，所述吸盘开设有若干气孔；
喷枪，用于向所述晶圆喷射液体或气体；
若干真空开关，若干所述真空开关安装于所述清洗台，每个所述真空开关控制一定的所述气孔；及
气压调节阀，所述气压调节阀安装于所述清洗台，用于控制吸附所述晶圆的所述气孔进行吸气，同时控制未吸附所述晶圆的所述气孔进行吹气，
安装于所述清洗台的收容器，所述清洗槽设有出水口，所述收容器借由所述出水口与所述清洗槽连通，以用于抽取并盛放所述气孔的水，所述吸盘的材质为黄铜，且所述吸盘放置所述晶圆的面为抛光，同时所述吸盘的两面镀金。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述晶圆清洗设备还包括设置于所述清洗台且高出所述吸盘的光源。
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述晶圆清洗设备还包括环绕所述清洗槽设置的挡板。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述挡板为三面挡板。
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述清洗台还设置有放置所述喷枪的水槽。
6.一种采用如权利要求1-5任一项所述的晶圆清洗设备清洗晶圆的方法，其特征在于，包括步骤：
(1)根据晶圆的尺寸，选择真空开关以控制对应的气孔真空吸附晶圆；
(2)利用气压调节阀控制吸附晶圆的气孔进行吸气，控制未吸附晶圆的气孔进行吹气；
(3)利用喷枪朝吸附于吸盘上的晶圆喷射液体或气体。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
