[发明专利]乙硅烷的制备方法在审
| 申请号： | 201810903987.6 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN108862282A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 万烨;刘见华;严大洲;赵雄;郭树虎;赵宇 | 申请（专利权）人： | 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/04 | 分类号： | C01B33/04 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 吴娅妮;于宝庆 |
| 地址： | 471023 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 乙硅烷 氯代 制备 改良西门子法 纯化液 副产物 多晶硅生产过程 半导体行业 高纯 精馏 过滤 还原 精制 回收 应用 | ||
1.一种乙硅烷的制备方法，包括如下步骤：
提供改良西门子法产生的氯代乙硅烷副产物；
将所述副产物进行过滤，得到滤液；
将所述滤液通过精馏处理，得到氯代乙硅烷的纯化液；以及
还原所述纯化液中的氯代乙硅烷，制得所述乙硅烷。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述精馏处理包括第一精馏处理和第二精馏处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一精馏处理在第一精馏塔中进行，所述第二精馏处理在第二精馏塔中进行。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一精馏塔的塔顶压力为50～120KPa，塔顶温度为90～130℃，塔板理论级数为60～120。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二精馏塔的塔顶压力为40～100KPa，塔顶温度为90～110℃，塔板理论级数为70～90。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过氢化铝锂、氢化铝钠或二乙基氢化铝与所述氯代乙硅烷的还原反应制得乙硅烷。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，还包括将反应所得的乙硅烷通过第三精馏处理、第四精馏处理及第五精馏处理进行纯化。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第三精馏处理在第三精馏塔中进行，所述第四精馏处理在第四精馏塔中进行，所述第五精馏处理在第五精馏塔中进行，所述第三精馏塔通过塔顶与所述第四精馏塔相连通，所述第四精馏塔通过塔底与所述第五精馏塔相连通。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第三精馏塔的塔顶温度为-10～10℃，所述第四精馏塔的塔顶温度为-50～-30℃，所述第五精馏塔的塔顶温度为-20～-15℃。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法，其中，包括通过分子筛和/或活性炭对反应所得的乙硅烷进行吸附处理。
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