[发明专利]具有半桥电路和电压钳位元件的电子电路在审

专利信息
申请号: 201810890767.4 申请日: 2018-08-07
公开(公告)号: CN109391130A 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 扬·富尔曼;托马斯·贝斯勒;汉斯-京特·埃克尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M7/219;H02M7/5387
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 康建峰;韩雪梅
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要:
搜索关键词: 电压钳位元件 低侧开关 高侧开关 半桥 电子电路 负载路径 开关电路 半桥电路 并联连接 控制节点 导体 总电感
【权利要求书】:

1.一种具有至少一个开关电路的电子电路,

其中,所述至少一个开关电路包括电压钳位元件、以及具有高侧开关和低侧开关的半桥,

其中所述高侧开关和所述低侧开关分别包括控制节点和负载路径,

其中,所述高侧开关和所述低侧开关的负载路径串联连接,并且

其中,所述电压钳位元件与所述半桥并联连接,使得连接所述高侧开关和所述低侧开关以及将所述电压钳位元件与所述半桥连接的第一导体的第一总电感小于20nH。

2.根据权利要求1所述的电子电路,其中所述第一总电感小于10nH或小于5nH。

3.根据权利要求1或2所述的电子电路,还包括:

与所述电压钳位元件并联连接的输入电容器。

4.根据权利要求3所述的电子电路,其中,所述输入电容器与所述电压钳位元件并联连接,使得将所述输入电容器与所述电压钳位元件连接的第二导体的第二总电感大于所述第一总电感。

5.根据权利要求4所述的电子电路,其中,所述第二总电感与所述第一总电感之比大于5,大于10或大于20。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的电子电路,其中,所述高侧开关和所述低侧开关中的至少一个包括选自组中的至少一个开关元件,所述组包括:

IGBT;

MOSFET;

JFET;以及

HEMT。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的电子电路,其中,所述第一导体包括选自组中的至少一个导电元件,所述组包括:

接合线;

半导体芯片上的接触焊盘;

印刷电路板上的迹线;

扁平导体;和

绝缘基板上的金属化部。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的电子电路,还包括:

与所述电压钳位元件串联连接的整流器元件。

9.根据权利要求8所述的电子电路,

其中,所述电压钳位元件包括二极管并且所述整流器元件包括二极管,以及

其中,所述电压钳位元件的二极管和所述整流器元件的二极管以背对背配置的方式连接。

10.根据前述权利要求中的任一项所述的电子电路,其中所述电压钳位元件包括MPS二极管。

11.根据权利要求10所述的电子电路,其中,所述MPS二极管是SiC MPS二极管、Si MPS二极管和GaN MPS二极管之一。

12.根据前述权利要求中的任一项所述的电子电路,其中,所述至少一个开关电路包括两个或更多个开关电路。

13.根据前述权利要求中的一项所述的电子电路,还包括:

与所述高侧开关并联连接的第一续流元件、以及与所述低侧开关并联连接的第二续流元件。

14.根据前述权利要求中的任一项所述的电子电路,其中,所述至少一个开关电路集成在一个模块中。

15.根据权利要求14所述的电子电路,

其中,所述半桥的高侧开关包括至少一个第一半导体芯片,所述半桥的低侧开关包括至少一个第二半导体芯片,所述电压钳位元件包括至少一个第三半导体芯片,

其中,所述模块包括基板,以及

其中,所述至少一个第一半导体芯片、所述至少一个第二半导体芯片和所述至少一个第三半导体芯片被安装到所述基板上。

16.根据权利要求15的电子电路,

其中,所述基板包括第一金属化部和与所述第一金属化部分离的第二金属化部,

其中,所述至少一个第一半导体芯片和所述至少一个第三半导体芯片被安装到所述基板上包括将所述至少一个第一半导体芯片和所述至少一个第三半导体芯片安装到所述第一金属化部,以及

其中,所述至少一个第二半导体芯片被安装到所述基板上包括将所述至少一个第二半导体芯片安装到所述第二金属化部。

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