[发明专利]纳米阵列结构透镜、制备方法及深紫外LED

权利要求书

1.一种纳米阵列结构透镜的制备方法，其特征在于：具体步骤包括：

(1)覆盖保护层：在蓝宝石衬底上蒸镀二氧化硅保护层；

(2)光刻：在步骤(1)处理后的所述二氧化硅保护层的上面旋涂光刻胶，在所述光刻胶上覆盖带有微米级直径阵列孔的光刻板，对所述光刻板进行紫外投影曝光；

(3)干法刻蚀保护层，在CF₄和O₂的混合气氛中等离子体蚀刻步骤(2)处理后的所述二氧化硅保护层以使所述二氧化硅上出现阵列孔以至于部分所述蓝宝石衬底曝露出来；

(4)湿法刻蚀蓝宝石衬底，由98％浓硫酸溶液和84％浓磷酸溶液混合蚀刻步骤(3)处理后的所述蓝宝石衬底使得所述蓝宝石衬底上出现阵列结构；

(5)去除保护层，使用氧等离子体清除步骤(4)处理后的所述蓝宝石衬底上的二氧化硅保护层得到纳米阵列结构透镜。

2.根据权利要求1所述纳米阵列结构透镜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的阵列孔为三角形阵列孔。

3.根据权利要求2所述纳米阵列结构透镜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的蒸镀的具体参数为：蒸镀厚度范围为100-300nm，蒸镀温度范围为200-300℃。

4.根据权利要求3所述纳米阵列结构透镜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中所述光刻胶的旋涂厚度范围为600-800nm。

5.根据权利要求4所述纳米阵列结构透镜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中紫外投影曝光的具体参数为：使用发射波长为365nm的紫外光源进行投影曝光，时间范围为50-70秒。

6.根据权利要求5所述纳米阵列结构透镜的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中刻蚀的具体参数为：所述浓硫酸与浓磷酸的体积比约为3：1，刻蚀温度范围为200-270℃，刻蚀时间范围为6-14分钟。

7.根据权利要求1-6任一项所述纳米阵列结构透镜的制备方法，其特征在于：在步骤(5)后面还包括抛光切割：用抛光液抛光步骤(5)得到的纳米阵列结构透镜，并使用激光切割将所述透镜分割为多个纳米阵列结构透镜。

8.一种纳米阵列结构透镜，其特征在于：根据权利要求1-7任一项所述纳米阵列结构透镜的制备方法所制得。

9.根据权利要求8所述纳米阵列结构透镜，其特征在于：所述透镜中的纳米阵列结构具体为纳米阵列凹槽，所述凹槽为由截面呈三角形的倒锥和截面呈圆形的锥台依次顺接形成，所述锥台的锥底半径呈纳米级。

10.一种深紫外LED，其特征在于：包括LED芯片、密封剂及权利要求8或9所述的纳米阵列结构透镜。