[发明专利]一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路在审
| 申请号： | 201810851481.5 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108649938A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 柳树渡;李茂华;孙志新 | 申请（专利权）人： | 深圳英飞源技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081;H03K17/60;H03K17/74 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 稳压二极管 负向 尖峰 负压电路 驱动电压 推挽电路 阴极 供电电源地 阳极 并联连接 电路结构 供电电源 尖峰电压 源极连接 栅极电阻 电阻 关断 减小 源极 正向 电路 驱动 开通 | ||
1.一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路，其特征在于：包括推挽电路、RCD钳位电路、负压电路、RCD电路、栅极电阻R2和MOS管S1，所述负压电路由电阻R1、电容C1、电容C2和稳压二极管D1组成，所述MOS管S1的源极与所述稳压二极管D1的阴极连接，所述稳压二极管D1的阳极与所述供电电源地电平连接，所述电容C2与所述稳压二极管D1并联连接，所述电容C1的一端与所述推挽电路的供电电源连接，所述电容C1的另一端与所述MOS管S1的源极连接，所述电阻R1与所述电容C1并联连接；
所述RCD钳位电路由电阻R3、电容C3和二极管D2组成，所述二极管D2的阴极与所述MOS管的栅极连接，所述二极管D2的阳极与所述电容C3的一端连接，所述电容C3的另一端与所述MOS管的源极连接，所述电阻R3一端与二极管D2的阳极连接，所述电阻R3的另一端与所述推挽电路地电平连接。
2.如权利要求1所述的抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路，其特征在于：所述二极管D2为TVS瞬态抑制二极管。
3.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于：所述栅极电阻串联连接到所述MOS管的源极和所述推挽电路的地电平。
4.如权利要求1所述的抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路，其特征在于：所述推挽电路为带推挽输出能力的驱动芯片或带推挽输出能力的驱动光耦。
5.如权利要求1所述的抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路，其特征在于：所述推挽电路由NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2组成，所述NPN型三极管Q1的基极与所述PNP型三极管Q2的基极一起连接到驱动PWM信号，所述NPN型三极管Q1的集电极连接所述推挽电路的电源，所述PNP型三极管Q2的集电极连接所述推挽电路地电平；
所述NPN型三极管Q1的发射极与所述PNP型三极管Q2的发射极连接所述推挽电路输出端，所述推挽电路输出端连接所述栅极电阻R2的一端，所述栅极电阻R2的另一端接所述MOS管S1的栅极。
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