[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置、掩膜版组件有效
| 申请号: | 201810835903.X | 申请日: | 2018-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN109037285B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
| 发明(设计)人: | 陈亮;王磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;G06F3/041;G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 贾莹 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 掩膜版 组件 | ||
本申请的一些实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置、掩膜版组件,涉及显示技术领域,用于解决触控走线占用较大的显示空间,导致产生触控盲区的问题。上述显示面板包括TFT背板以及位于TFT背板上的触控走线和有机功能层。有机功能层具有多个过孔,每个过孔露出触控走线的一部分。显示面板还包括覆盖有机功能层的第一电极层。第一电极层包括多个相互绝缘的自电容电极,每个自电容电极与一个过孔露出的触控走线相接触。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及显示面板及其制作方法、显示装置、掩膜版组件。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)作为一种电流型发光器件,因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。 OLED按驱动方式可分为PMOLED(Passive Matrix DrivingOLED,无源矩阵驱动有机发光二极管)和AMOLED(Active Matrix Driving OLED,有源矩阵驱动有机发光二极管)两种,由于AMOLED显示器具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代LCD(liquid crystaldisplay,液晶显示器)的下一代新型平面显示器。
为了在OLED显示装置中集成触控功能,可以采用In-Cell(内嵌)技术。该In-Cell技术分别为复合内嵌式(Hybrid In-Cell,HIC) 和全内嵌式(Full In-Cell,FIC)。相对于HIC结构而言,FIC结构更加简单。现有技术中,FIC结构具有多个同层设置的触控电极,与所述触控电极相连接的触控走线和所述触控电极同层设置。在此情况下,当显示装置的尺寸较大,且触控精度较高时,触控电极和触控走线的数量也会增加,这样一来,多个触控走线所在的位置占用的显示空间较大,从而产生触控盲区。
发明内容
本发明的实施例提供显示面板及其制作方法、显示装置、掩膜版组件,用于解决触控走线占用较大的显示空间,导致产生触控盲区的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本申请实施例的一方面,提供一种显示面板,包括TFT背板以及位于所述TFT背板上的触控走线和有机功能层;所述有机功能层具有多个过孔,每个所述过孔露出所述触控走线的一部分;所述显示面板还包括覆盖所述有机功能层的第一电极层;所述第一电极层包括多个相互绝缘的自电容电极;每个所述自电容电极与一个所述过孔露出的所述触控走线相接触。
在本申请的一些实施例中,所述过孔的孔壁与所述触控走线之间具有绝缘层。
在本申请的一些实施例中,所述显示面板还包括位于所述TFT 背板上的绝缘隔离柱;所述绝缘隔离柱设置于相邻两个自电容电极之间,所述绝缘隔离柱用于对所述相邻的两个自电容电极进行绝缘。
在本申请的一些实施例中,所述绝缘隔离柱包括层叠设置的第一子隔离柱和第二子隔离柱;所述第一子隔离柱靠近所述TFT背板,所述第一子隔离柱垂直截面的形状为梯形;所述第二子隔离柱远离所述TFT背板,所述第二子隔离柱垂直截面的形状为倒梯形;所述垂直截面与所述TFT背板垂直。
在本申请的一些实施例中,所述TFT背板包括衬底基板、位于所述衬底基板上的驱动电路结构以及覆盖所述驱动电路结构的像素界定层;所述触控走线位于所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧表面。
在本申请的一些实施例中,所述显示面板包括绝缘隔离柱;所述绝缘隔离柱以及所述触控走线,位于所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧表面。
在本申请的一些实施例中,所述显示面板还包括位于所述有机功能层靠近所述衬底基板一侧的第二电极;所述像素界定层包括横纵交叉的像素分隔物以及由所述像素分隔物围设的开口;所述第二电极位于所述开口内;所述有机功能层包括有机发光层,所述有机发光层位于所述开口内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





