[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201810834043.8 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN108807190A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 林少雄;周辉星 | 申请（专利权）人： | 先进封装技术私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/16;H01L23/495;H01L23/498;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京世峰知识产权代理有限公司 11713 | 代理人： | 卓霖;许向彤 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支撑组件 半导体结构 锚合 第一表面 组件配置 强化层 耦接 制造 配置 | ||
1.一种半导体结构，包括：
层组件；以及
一个或多个锚合组件，其配置在该层组件内。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该一个或多个锚合组件中至少一个的一部分暴露在该层组件的第二表面上，该第二表面与该第一表面相对。
3.如权利要求2所述的半导体结构，还包括：一个或多个加强组件，其配置在该层组件的第二表面的至少一部分上；其中，该一个或多个锚合组件连接至该一个或多个加强组件，以将该一个或多个加强组件耦接至该层组件，进而进一步强化该层组件。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该层组件包括具有一个或多个电子组件的绝缘基板层组件。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述锚合组件环绕承载组件的边缘延伸。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该一个或多个锚合组件中的至少一个是柱体或圆柱。
7.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：
另外的层组件；以及
一个或多个另外的锚合组件，其配置在该另外的层组件内且连接至该层组件的一个或多个锚合组件，以强化该层组件和该另外的层组件。
8.一种半导体结构的制造方法，该方法包括：
在载件上方形成一个或多个锚合组件；以及
将该一个或多个锚合组件封装在层组件内。
9.如权利要求8所述的方法，还包括：在该载件上方形成一个或多个电子组件。
10.如权利要求8所述的方法，还包括：平面化该层组件，以暴露该一个或多个锚合组件中至少一个的至少一部分。
11.如权利要求10所述的方法，其中，平面化该层组件包括将载件磁性固定至工作平面。
12.如权利要求11所述的方法，其中，将载件磁性固定至工作平面包括将包含磁性材料的载件配置在包含电磁铁或永久磁铁的工作平面上。
13.如权利要求10所述的方法，还包括：在该一个或多个暴露的锚合组件的至少一部分上方形成一个或多个加强组件。
14.如权利要求8所述的方法，还包括：在内部磁性核心的至少一部分上方形成涂层，其中，该内部磁性核心和涂层限定该载件。
15.如权利要求8所述的方法，还包括：在该层组件中形成一个或多个分隔间隙。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
