[发明专利]一种碲化镉太阳能电池的制备方法及生产系统在审
| 申请号: | 201810813816.4 | 申请日: | 2018-07-23 |
| 公开(公告)号: | CN108878593A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
| 发明(设计)人: | 彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;蒋猛;李飏;王彦珏 | 申请(专利权)人: | 成都中建材光电材料有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/073 |
| 代理公司: | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人: | 李华;温黎娟 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 碲化镉太阳能电池 生产系统 制备 封装生产 裁切 生产 节约生产成本 定制化生产 多线 | ||
本发明公开一种碲化镉太阳能电池的制备方法及生产系统,所述制备方法包括FTO玻璃生产,碲化镉太阳能电池生产和封装生产。所述生产系统包括FTO玻璃生产段,碲化镉太阳能电池生产段和封装生产段,形成一窑多线的生产方式,将裁切工艺放置在碲化镉太阳能电池生产段,根据需求进行裁切,实现定制化生产,节约生产成本。
技术领域
本发明涉及太阳能电池加工领域,具体涉及一种碲化镉太阳能电池的制备方法及生产系统。
背景技术
碲化镉薄膜太阳电池是以CdTe为吸收层的一种化合物半导体薄膜太阳电池,具有转化效率高、可靠性高、成本低廉的特点,它已成为人们公认的发展前景最广阔的薄膜光伏器件之一。目前已经实现了小面积电池转化效率22.1%,组件转化效率18.6%,成为了市场上最为成功的薄膜型光伏产品。
目前碲化镉太阳能电池组件的主要生产方法为:外购TCO导电玻璃,依次进行清洗、镀膜、活化、激光刻划、制备背电极、清边、引出导线、封装、检测和包装。由于碲化镉太阳能电池是一种薄膜型产品,是一种生长在玻璃衬底上的产品,因此玻璃是该生产线最为重要的原材料之一。传统工艺玻璃的运输造成碲化镉太阳能电池组件产生巨大的运输成本,生产成本高。在清洗步骤中,由于玻璃的存储和运输,易于引入脏污成本,洁净质量难以控制。镀膜工艺是碲化镉太阳能电池最为重要的工艺步骤,目前已经成功的商业化技术均采用的是真空高温制程,需要将TCO玻璃加热至500℃以上。此外,碲化镉太阳能电池有一个特殊的工艺步骤“活化”,其温度也在400℃左右。镀膜、活化两个工艺步骤是整个碲化镉太阳能电池耗能最大的工序。由于玻璃的尺寸及碲化镉工艺的设计,传统工艺生产的碲化镉太阳能电池组件基本为固定规格的产品,很难实现定制化的生产,这也是制约碲化镉太阳能电池组件多样化应用的瓶颈之一。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种碲化镉太阳能电池的制备方法及生产系统,解决了传统工艺玻璃清洗质量难以控制、无法实现定制化生产的问题。
为解决以上技术问题,本发明提供的技术方案是一种碲化镉太阳能电池的制备方法,依次包括以下步骤:FTO玻璃生产,碲化镉太阳能电池生产和封装生产;
所述碲化镉太阳能电池生产包括:镀CdS膜、镀CdTe膜、活化、制备背接触层、第一次激光刻蚀、光刻胶填充、第二次激光刻蚀、制备背电极、第三次激光刻蚀、第四次激光刻蚀。
优选的,所述FTO玻璃生产依次包括:配料、熔融、成型、镀FTO膜。
优选的,所述第一次激光刻蚀前进行裁切。
优选的,所述第四次激光刻蚀前进行裁切。
优选的,所述第四次激光刻蚀后进行裁切。
优选的,所述封装生产包括:磨边、封装。
本发明还提供一种碲化镉太阳能电池的生产系统,包括:FTO玻璃生产段,碲化镉太阳能电池生产段和封装生产段,所述FTO玻璃生产段末端与所述碲化镉太阳能电池生产段的前端连接,所述碲化镉太阳能电池生产段的末端与所述封装生产段的前端连接,所述生产系统为一窑多线的模式。
优选的,所述FTO玻璃生产段的装置依次包括:搅拌塔、窑炉、成型模具、化学气相沉积仪,所述搅拌塔、所述窑炉、所述成型模具与所述化学气相沉积仪依次串联连接。
优选的,所述碲化镉太阳能电池生产段的装置包括:近空间升华炉、加热器、磁控溅射仪、第一裁切仪、第一激光仪、涂胶机、第二激光仪、蒸镀仪、第三激光仪、第二裁切仪、第四激光仪、第三裁切仪,所述近空间升华炉、所述加热器、所述磁控溅射仪、所述第一裁切仪、所述第一激光仪、所述涂胶机、所述第二激光仪、所述蒸镀仪、所述第三激光仪、所述第二裁切仪、所述第四激光仪、所述第三裁切仪依次形成串联连接。
优选的,所述封装生产段包括磨边机和封装机。
本发明与现有技术相比,其详细说明如下:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





