[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步骤一：在基板（10）上沉积第一金属层（20）；

步骤二：在所述第一金属层（20）上沉积半导体材料层（30），利用第一道光刻工艺对所述半导体材料层（30）进行图案化处理，形成半导体有源层（30a）；

步骤三：在所述第一金属层（20）及所述半导体有源层（30a）上沉积第二金属层（60），采用第二道光刻工艺对所述第一金属层（20）及所述第二金属层（60）进行图案化处理，得到第一电极（61）、第二电极（63）和第三电极（62），其中，所述第一电极（61）与所述第二电极（63）间隔设置，所述第一电极（61）设置在所述基板（10）上，所述第二电极（63）设置在所述基板（10）与所述半导体有源层（30a）之间，所述第三电极（62）设置在所述半导体有源层（30a）之上，所述第二电极（63）与所述第三电极（62）在水平面的投影重叠；所述第一电极（61）由第一金属层（20）和第二金属层（60）构成；

在所述第一金属层（20）上沉积半导体材料层（30），利用第一道光刻工艺对所述半导体材料层（30）进行图案化处理，形成半导体有源层（30a）的步骤包括：

在所述第一金属层（20）沉积半导体材料层（30）；

在所述半导体材料层（30）上沉积第一光阻材料层（40）；

采用第一光罩（50）对所述第一光阻材料层（40）进行曝光、显影，得到第一光阻块（40a）；

对未被所述第一光阻块（40a）覆盖的半导体材料层（30）进行蚀刻，得到所述半导体有源层（30a）；

剥离所述第一光阻块（40a）；

其中，所述第一光罩（50）为具有预定图案的半色调掩膜，半色调掩膜包括不透光区域、部分透光区域和完全透光区域，控制曝光能量，使得部分透光区域和完全透光区域下方的所述第一光阻材料层（40）的部分进行充分曝光，使得所述第一光阻材料层（40）显影处理后，与部分透光区域、完全透光区域对应的所述第一光阻材料层（40）被完全刻蚀掉；

在所述第一金属层（20）及所述半导体有源层（30a）上沉积第二金属层（60），采用第二道光刻工艺对所述第一金属层（20）及第二金属层（60）进行图案化处理，得到第一电极（61）、第二电极（63）和第三电极（62）的步骤包括：

在所述第一金属层（20）及所述半导体有源层（30a）上沉积第二金属层（60）；

在所述第二金属层（60）上沉积第二光阻材料层（70）；

采用第二道光罩（90）对所述第二光阻材料层（70）进行曝光、显影，得到相互间隔的第二光阻块（70a）和第三光阻块（70b）；

对所述第一金属层（20）和所述第二金属层（60）进行蚀刻，得到第一电极（61）、第二电极（63）和第三电极（62）；

剥离所述第二光阻块（70a）和所述第三光阻块（70b）；

所述第二道光罩（90）与所述第一光罩（50）采用相同的半色调掩膜。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在步骤三之后，所述方法还包括：

在所述基板（10）、所述第一电极（61）和所述第三电极（62）上形成绝缘层（80）。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第三电极（62）的厚度大于所述半导体有源层（30a）的厚度。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第三电极（62）的厚度与所述半导体有源层（30a）的厚度相差500埃。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一电极（61）为栅极，所述第二电极（63）和第三电极（62）为源漏极。