[发明专利]一种针对晶圆缺陷的自动打墨方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种针对晶圆缺陷的自动打墨方法，包括：步骤S1，对每个晶圆分别进行缺陷检测；步骤S2，分别记录检测到的每个缺陷在晶圆上的晶圆坐标信息，以及反映进行缺陷扫描的开始时间的缺陷扫描时间信息；步骤S3，判断晶圆的缺陷扫描时间信息反映的开始时间是否落后于一预设时间点；若是，则转向步骤S4；若否，则转向步骤S5；步骤S4，按照一预设规则对晶圆坐标信息进行坐标转换，以形成新的晶圆坐标信息，并转向步骤S5；步骤S5，将当前的晶圆坐标信息转换为晶片坐标信息，晶片坐标信息用于反映缺陷对应的晶片在对应的晶圆上的坐标；步骤S6，按照晶片坐标信息对相应的晶片进行打墨；能够实现自动打墨，效率高，出错率低。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种针对晶圆缺陷的自动打墨方法。

背景技术

晶圆缺陷检测是半导体产品制备过程中一个至关重要的过程，决定了晶圆产品的良率。晶圆产品进行缺陷检测后，往往需要在晶圆上进行打墨以标记处缺陷的位置。

例如需要进行键合的晶圆，需要判断打墨过程是在晶圆键合之前还是之后，坐标是否发生改变。单个晶圆的打墨时间一般需要10分钟，而一个批次的晶圆的打墨过程则长达数小时，并且晶圆的情况也各不相同。因此，当前大多采用人工的方法对晶圆进行打墨，耗费时间长，错误率高。

发明内容

针对上述问题，本发明提出了一种针对晶圆缺陷的自动打墨方法，其中，应用于进行键合的复数个晶圆，每个所述晶圆上包括复数个晶片；所述自动打墨方法包括：

步骤S1，对每个所述晶圆分别进行缺陷检测；

步骤S2，分别记录检测到的每个缺陷在所述晶圆上的晶圆坐标信息，以及反映进行缺陷扫描的开始时间的缺陷扫描时间信息；

步骤S3，判断所述晶圆的所述缺陷扫描时间信息反映的开始时间是否落后于一预设时间点；若是，则转向步骤S4；若否，则转向步骤S5；

步骤S4，按照一预设规则对所述晶圆坐标信息进行坐标转换，以形成新的所述晶圆坐标信息，并转向步骤S5；

步骤S5，将当前的所述晶圆坐标信息转换为晶片坐标信息，所述晶片坐标信息用于反映缺陷对应的所述晶片在对应的所述晶圆上的坐标；

步骤S6，按照所述晶片坐标信息对相应的所述晶片进行打墨。

上述的自动打墨方法，其中，所述晶圆坐标信息包括横向坐标信息和纵向坐标信息；

所述预设规则具体为：

对所述横向坐标信息反映的缺陷在所述晶圆上的横向坐标进行预设次数的左右镜像；

对所述晶圆坐标信息反映的缺陷在所述晶圆上的纵向坐标保持不变。

上述的自动打墨方法，其中，所述左右镜像的镜像轴为所述晶圆的纵向对称轴。

上述的自动打墨方法，其中，所述预设次数为奇数。

上述的自动打墨方法，其中，所述预设次数为1次。

上述的自动打墨方法，其中，所述预设次数为偶数。

上述的自动打墨方法，其中，所述预设次数为2次。

上述的自动打墨方法，其中，所述晶圆具有多个类别，所述预设次数根据所述晶圆的类别进行设定。

上述的自动打墨方法，其中，所述预设时间点为所述晶圆键合时的起始时间点。

上述的自动打墨方法，其中，采用一缺陷检测系统完成缺陷检测，以及采用一打墨系统完成所述步骤S2～S6。

上述的自动打墨方法，其中，还包括：