[发明专利]非掺杂与掺杂互补白光串联有机电致发光器件及制备方法在审
| 申请号: | 201810760243.3 | 申请日: | 2018-07-11 |
| 公开(公告)号: | CN108807710A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
| 发明(设计)人: | 彭河蒙;蒋春旭;罗东向;张勇 | 申请(专利权)人: | 重庆赛宝工业技术研究院 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 吕小琴 |
| 地址: | 401332 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 白光 有机电致发光器件 非掺杂 串联 阴极 三线态能级 有机功能层 阳极 发光单元 制备 掺杂 蓝色磷光材料 延迟荧光材料 材料需求 合成难度 有效解决 发光区 高能级 蓝光层 基板 节约 | ||
1.一种非掺杂与掺杂互补白光串联有机电致发光器件,其特征在于:包括基板、阳极、阴极和介于所述阳极与所述阴极之间的有机功能层;
所述有机功能层包括多个白光发光单元,多个白光发光单元串联后形成多个白光发光区。
2.根据权利要求1所述的非掺杂与掺杂互补白光串联有机电致发光器件,其特征在于:单个白光发光单元包括至少一层非掺杂蓝光层与至少一层掺杂互补光发光层,非掺杂蓝光层与掺杂互补光发光层所产生的光色混合后得到白光并构成白光发光单元。
3.根据权利要求2所述的非掺杂与掺杂互补白光串联有机电致发光器件,其特征在于:所述非掺杂蓝光层由磷光材料和延迟荧光材料中的至少一种构成。
4.根据权利要求3所述的非掺杂与掺杂互补白光串联有机电致发光器件,其特征在于:所述有机电致发光器件的白光发光单元里面的每层发光层厚度为0.01-200nm。
5.根据权利要求4所述的非掺杂与掺杂互补白光串联有机电致发光器件,其特征在于:单个白光发光单元包括一层非掺杂蓝光层与一层掺杂互补光发光层,非掺杂蓝光层与一层掺杂互补光发光层之间设置有厚度为0.01-30nm的间隔层。
6.根据权利要求5所述的非掺杂与掺杂互补白光串联有机电致发光器件,其特征在于:所述间隔层采用非掺杂技术进行制备而成。
7.根据权利要求1所述的非掺杂与掺杂互补白光串联有机电致发光器件,其特征在于:所述有机电致发光器件的结构为:ITO/HAT-CN(100nm)/NPB(15nm)/TCTA(5nm)/FIrpic(0.5nm)/CBP:PO-01(10nm,10%)/TmPyPB(15nm)/Bepp2:KBH4(10nm,15%)/HAT-CN(120nm)/NPB(15nm)/TCTA(5nm)/FIrpic(0.5nm)/CBP:PO-01(10nm,10%)/TmPyPB(50nm)/Cs2CO3(1nm)/Al(200nm)。
8.一种制备权利要求7所述的非掺杂与掺杂互补白光串联有机电致发光器件的方法,其特征在于:包括下列步骤:
(1)、在基板上以溅射方法制备ITO薄膜作为阳极。
(2)、再在阳极上以真空蒸镀方法制备100nm的HAT-CN作为空穴注入层。
(3)、在上述空穴注入层上以真空蒸镀方法制备15nm厚度的NPB薄膜作为空穴传输层。
(4)、在上述空穴注入层1上以真空蒸镀方法制备5nm厚度的TCTA薄膜作为空穴传输层。
(5)、在上述空穴注入层2上以真空蒸镀方法制备0.5nm的FIrpic薄膜作为蓝色磷光层。
(6)、在上述蓝色磷光层上以真空蒸镀方法制备10nm厚度的CBP:PO-01薄膜作为黄色磷光层。
(7)、在上述黄色磷光层上以真空蒸镀方法制备15nm厚度的TmPyPB薄膜作为电子传输层。
(8)、在上述电子传输层层上以真空蒸镀方法制备10nm厚度的Bepp2:KBH4薄膜作为电子注入层。
(9)、在上述电子注入层上以真空蒸镀方法制备120nm厚的HAT-CN与15nm的NPB薄膜厚作为电荷生成层。
(10)、在上述电荷生成层上以真空蒸镀方法制备5nm厚度的TCTA薄膜作为空穴传输层。
(11)、在上述空穴注入层上以真空蒸镀方法制备0.5nm的FIrpic薄膜作为蓝色磷光层。
(12)、在上述蓝色磷光层上以真空蒸镀方法制备10nm厚度的CBP:PO-01薄膜作为黄色磷光层。
(13)、在上述黄色磷光层上以真空蒸镀方法制备50nm厚度的TmPyPB薄膜作为电子传输层。
(14)、在上述电子传输层上以真空蒸镀方法制备1nm的Cs2CO3薄膜作为电子注入层。
(15)、在上述电子注入层上以真空蒸镀方法制备200nm的Al薄膜作为阴极。
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