[发明专利]一种掺镍氧化铜薄膜晶体管及制备方法

权利要求书

1.一种掺镍氧化铜薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：

步骤1：制备掺镍氧化铜薄膜的前驱体溶液

选取丙三醇和去离子水，按体积比为1:1-4配置混合溶液，然后取硝酸镍和硝酸铜按摩尔比为1-5:999-95溶于混合溶液中，配置0.1 mol/L浓度的前驱体溶液，通过磁力搅拌6-12小时；得到掺镍氧化铜薄膜的前驱体溶液；

步骤2：制备掺镍氧化铜薄膜

选取重掺杂硅片，依次用丙酮清洗，时间为10-20分钟；用去离子水清洗，时间为10-20分钟；用乙醇清洗，时间为10-20分钟；放置于退火炉中退火处理，预热时间为10～20分钟，预热温度为400-600 ℃；

将步骤1制备的前驱体溶液旋涂在重掺杂硅片上，然后，放置于退火炉中固胶处理，温度为100-200℃；时间为2-4小时；放置于退火炉中退火处理，温度为 300-400℃；时间为0.5-1小时；制得厚度为20-60纳米的掺镍氧化铜薄膜；

步骤3：制备掺镍氧化铜薄膜晶体管

用掩膜版在掺镍氧化铜薄膜上制备金属源及漏电极，厚度为30-40纳米；制得所述掺镍氧化铜薄膜晶体管；其中：

所述选取的重掺杂硅片上附有厚度为100纳米的二氧化硅，且二氧化硅构成所述掺镍氧化铜薄膜晶体管的介电层；

所述前驱体溶液旋涂在重掺杂硅片上，其旋涂过程如下：将重掺杂硅片放置于旋涂仪上，将步骤1制备的前驱体溶液滴于重掺杂硅片的二氧化硅层上；启动旋涂仪，旋涂仪的转速为3000-5000转/分；旋涂时间为20-30秒；

所述制备金属源及漏电极的过程如下：选用金属金或金属镍在掩膜版上制作金属源及漏电极图案，将掩膜版覆盖在步骤2制备的掺镍氧化铜薄膜上，然后放进真空热蒸发设备中，将电极图案蒸镀到掺镍氧化铜薄膜上，形成金属源及漏电极。

2.一种权利要求1所述方法制得的掺镍氧化铜薄膜晶体管。