[发明专利]一种有机光电晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种有机光电晶体管，依次包括硅基底层、金电极和金属锌酞菁纳米晶活性层；所述金属锌酞菁纳米晶活性层覆盖在所述金电极及所述金电极之间的区域之上；

所述金属锌酞菁纳米晶活性层中的金属锌酞菁为α位四甲基取代锌酞菁；

所述有机光电晶体管的制备方法，包括以下制备步骤：

1)以金为金源，在硅基底层的绝缘层真空蒸镀金电极，得到镀有金电极的硅基底；

2)将金属锌酞菁的甲酸分散液超声处理后滴涂到镀有金电极的硅基底上，得到载有分散液的硅基底；

3)将载有分散液的硅基底退火处理，得到有机光电晶体管；

所述步骤2)中超声处理的功率为1500W，超声处理的频率为120kHz；

所述步骤1)中真空蒸镀的速率为0.3Å/s；所述真空蒸镀的真空度≥5×10^-6mbar。

2.根据权利要求1所述的有机光电晶体管，其特征在于，所述硅基底层的厚度为300～800μm。

3.根据权利要求1或2所述有机光电的晶体管，其特征在于，所述硅基底层包括硅衬底层和二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层与金电极接触。

4.根据权利要求3所述的有机光电晶体管，其特征在于，所述硅衬底层和二氧化硅绝缘层的厚度比为1000：1～2665：1。

5.根据权利要求1所述的有机光电晶体管，其特征在于，所述金电极的厚度为50～150nm。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述金属锌酞菁纳米晶活性层的厚度为20～100nm；所述厚度从SiO₂绝缘层起算。

7.权利要求1～6任意一项所述的有机光电晶体管的制备方法，包括以下步骤：

1)在硅基底层的绝缘层真空蒸镀金电极，得到镀有金电极的硅基底；

2)将金属锌酞菁甲酸分散液超声处理后滴涂到镀有金电极的硅基底的一侧，得到载有分散液的硅基底；

3)将载有分散液的硅基底退火处理，得到有机光电晶体管；

所述步骤2)中超声处理的功率为1500W，超声处理的频率为120kHz；

所述步骤1)中真空蒸镀的速率为0.3Å/s；所述真空蒸镀的真空度≥5×10^-6mbar。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中金属锌酞菁甲酸分散液中金属锌酞菁的浓度为0.5～10mg/mL。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中超声处理的时间为20～40min。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中退火处理的温度为100℃，退火处理的时间为10～30min。