[发明专利]一种改善低温无铅硼釉表面性状的方法

权利要求书

1.一种改善低温无铅硼釉表面性状的方法，其特征在于，所述坯料试透明釉烧制完成后的平均白度为38.4，所述釉料包括以下组分：三氧化二硼、三氧化二铝、氧化镁、氧化钠、氧化硼、氧化锌、氧化钙、六氯化钨、氧化锂、三氧化二钒，余量为二氧化硅；

其中三氧化二硼的含量大于氧化钠、氧化硼、氧化锂、三氧化二钒的含量和；

所述三氧化二硼的含量低于二氧化硅含量的二分之一；所述六氯化钨的含量低于三氧化二硼含量的二分之一；

所述二氧化硅原料中粒径为60-80nm的二氧化硅占其总重量的16-25%；六氯化钨的粒径为20-30nm。

2.如权利要求1所述一种改善低温无铅硼釉表面性状的方法，其特征在于，所述坯料的化学组成为：二氧化硅65.96wt%、三氧化二铝25.32wt%、氧化钙0.73wt%、氧化镁0.45wt%、氧化钠1.47wt%、氧化钾1.86wt%、三氧化二铁4.13wt%、二氧化钛0.08wt%；坯料的细度为万孔筛余0.1-0.3%。

3.如权利要求1所述一种改善低温无铅硼釉表面性状的方法，其特征在于，所述釉料的化学组分为：三氧化二硼12.24-12.37wt%、三氧化二铝5.4-5.7wt%、氧化镁0.83-1.25wt%、氧化钠4.35-6.28wt%、氧化硼2.2-2.6wt%、氧化锌2.28-2.65wt%、氧化钙6.75-7.45wt%、六氯化钨4.73-6.08wt%、氧化锂3.14-3.28wt%、三氧化二钒0.02-0.06wt%，余量为二氧化硅。

4.如权利要求1所述一种改善低温无铅硼釉表面性状的方法，其特征在于，所述粒径为60-80nm的二氧化硅由Sol-Gel技术制取。

5.如权利要求1所述一种改善低温无铅硼釉表面性状的方法，其特征在于，所述六氯化钨中氯氧化物的杂质小于0.5wt%。

6.如权利要求1所述一种改善低温无铅硼釉表面性状的方法，其特征在于，所述施釉料的制备方法为：将除粒径为60-80nm的二氧化硅外的二氧化硅、三氧化二硼、三氧化二铝、氧化镁、氧化钠、氧化硼、氧化锌、氧化钙、氧化锂、三氧化二钒混合，在球磨机中球磨至粒径小于0.1mm后，加入粒径为60-80nm的二氧化硅和六氯化钨，在坩埚中升温至380-420℃，保温30-40分钟，完成后继续升温至820-880℃，保温40-60分钟，然后继续加热至1050-1150℃，保温20-30分钟后，以30-40℃快速降至常温，干燥后用球磨机球磨，完成后过325目筛余0.02-0.08%。

7.如权利要求1所述一种改善低温无铅硼釉表面性状的方法，其特征在于，所述烧成温度为760-880℃。