[发明专利]一种制备ZrO2绝缘层薄膜及叠层结构的方法在审
| 申请号： | 201810728808.X | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109037052A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;周尚雄;姚日晖;史沐杨;李志航;蔡炜;朱镇南;魏靖林;袁炜健;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L29/51 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 向玉芳 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层薄膜 前驱体溶液 叠层结构 醋酸锆 氧化锆 制备 薄膜 醋酸 退火 印刷电子技术 薄膜晶体管 磁控溅射 绝缘性能 退火处理 真空环境 制备过程 缺陷态 乙二醇 衬底 上旋 锆盐 去除 老化 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备ZrO2绝缘层薄膜的方法，其特征在于，包括如下制备步骤：
(1)将Zr(CH3COO)4(醋酸锆)溶于乙二醇中，搅拌老化得到前驱体溶液；所述前驱体溶液中Zr(CH3COO)4的浓度为0.3～0.6mol/L；
(2)在ITO玻璃衬底上旋涂步骤(1)所得的前驱体溶液，然后在300℃退火处理1～2小时，得到氧化锆绝缘层薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种制备ZrO2绝缘层薄膜的方法，其特征在于，步骤(1)所述搅拌速度为500rpm，老化时间为24小时。
3.根据权利要求1所述的一种制备ZrO2绝缘层薄膜的方法，其特征在于，步骤(2)中所述旋涂的工艺条件为：转速4000～6000rpm，旋涂次数3～5次，旋涂时间30～40s，每次旋涂之间退火温度300℃，时间3～5min。
4.一种制备ZrO2绝缘层薄膜叠层结构的方法，其特征在于，在权利要求1～3任一项制得的氧化锆绝缘层薄膜上通过磁控溅射镀圆形Al电极，得到MIM叠层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
