[发明专利]一种改进型压电陶瓷片应力测量方法及测量装置

权利要求书

1.一种改进型压电陶瓷片应力测量方法，其特征在于，所述方法包括：

S1：调节施加在压电陶瓷片上的电压，并获取施加电压条件下的第一接触压力和第一接触位移，以及未施加电压条件下的第二接触压力和第二接触位移；

S2：判断所述第一接触位移与所述第二接触位移的大小，并根据判断结果计算所述压电陶瓷片的应力值，

其中，所述S2包括：

S21：判断所述第一接触位移的数值与所述第二接触位移的数值是否相等；若相等，执行S22，若不相等，执行S23；

S22：根据所述第一接触压力和所述第二接触压力计算所述压电陶瓷片的应力值；

S23：调节力传感器的位置，使得所述第一接触位移与所述第二接触位移的数值相等，获取第三接触压力，并根据所述第一接触压力和所述第三接触压力计算所述压电陶瓷片的应力值。

2.根据权利要求1所述的改进型压电陶瓷片应力测量方法，其特征在于，所述S1包括：

向所述压电陶瓷元件施加120V-150V范围的正向电压，测量120V-150V条件下的第一接触压力和第一接触位移；

将所述120V-150V的正向电压降低至0V，测量0V时的第二接触压力和第二接触位移。

3.根据权利要求1所述的改进型压电陶瓷片应力测量方法，其特征在于，所述S1包括：

向所述压电陶瓷元件施加120V-150V范围的正向电压，测量120V-150V 条件下的第一接触压力和第一接触位移；

将所述120V-150V的正向电压逐次降压，每次降压10-20V，降至0V，测量0V时的第二接触压力和第二接触位移。

4.根据权利要求1所述的改进型压电陶瓷片应力测量方法，其特征在于，所述S1包括：

在向所述压电陶瓷元件施加电压之前，测量未施加电压条件下的第二接触压力和第二接触位移；

向所述压电陶瓷元件施加120V-150V的正向电压，并测量120V-150V条件下的第一接触压力和第一接触位移。

5.根据权利要求1所述的改进型压电陶瓷片应力测量方法，其特征在于，所述S1包括：

在向所述压电陶瓷元件施加电压之前，测量未施加电压条件下的第二接触压力和第二接触位移；

向所述压电陶瓷元件施加正向电压，每次升高10-20V，逐次加压至120V-150V，并测量120V-150V条件下的第一接触压力和第一接触位移。

6.根据权利要求1所述的改进型压电陶瓷片应力测量方法，其特征在于，所述S22包括：

计算所述第一接触压力与所述第二接触压力的差值绝对值，将所述差值绝对值作为所述压电陶瓷片的应力值。

7.一种改进型压电陶瓷片应力测量装置，其特征在于，包括电源(1)、支撑杆(2)、第一位移台(3)、第二位移台(4)、第一力传感器(5)、第二力传感器(6)、力传感器显示仪器(7)、第一位移传感器(8)、第二位移传感器(9)以及位移传感器显示仪器(10)，其中，

所述支撑杆(2)垂直于操作平台，用于放置待测的压电陶瓷片(11)；

所述第一位移台(3)和所述第二位移台(4)分别设置在所述支撑杆(2)的两侧；

所述第一力传感器(5)设置在所述第一位移台(3)上，所述第二力传感器(6)设置在所述第二位移台(4)上，所述第一力传感器(5)和所述第二力传感器(6)用于测试压电陶瓷片(11)两侧的压力；

所述第一位移传感器(8)设置在所述支撑杆(2)与所述第一位移台(3)之间，所述第二位移传感器(9)设置在所述支撑杆(2)与所述第二位移台(4)之间，所述第一位移传感器(8)和所述第二位移传感器(9)分别用于测试所述第一力传感器(5)和所述第二力传感器(6)的位移。