[发明专利]近场装置有效

专利信息
申请号: 201810727531.9 申请日: 2018-07-04
公开(公告)号: CN109217903B 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 安东尼·凯斯拉斯;彼特·维什尔伦;莉斯贝思·戈麦 申请(专利权)人: 恩智浦有限公司
主分类号: H04B5/00 分类号: H04B5/00;H01Q1/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 荷兰埃因霍温高科*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 近场 装置
【说明书】:

一个例子公开一种近场装置,包括:近场接收器,所述近场接收器耦合到近场接收器天线和解码器电路;其中所述近场接收器天线被配置成在第一物质的第一位置处电容性耦合;其中所述近场接收器天线被配置成通过所述接收器的电容性耦合从所述第一物质接收第一近场信号;且其中所述解码器电路被配置成比较所述第一近场信号的属性与从第二物质接收的第二近场信号的属性。

技术领域

本说明书涉及用于近场信号分析的系统、方法、设备、装置、制品和指令。

背景技术

近场电磁感应(NFEMI)装置利用非传播准静态场,而RF装置通过自由空间传播RF平面波。近场的准静态特性是天线尺寸与载波频率的组合的结果。大部分能量是以磁场和电场的形式存储,且仅少量RF能量在自由空间中传播。

发明内容

根据例子实施例,一种近场装置,包括:近场接收器,所述近场接收器耦合到近场接收器天线和解码器电路;其中所述近场接收器天线被配置成在第一物质的第一位置处电容性耦合;其中所述近场接收器天线被配置成通过所述接收器的电容性耦合从所述第一物质接收第一近场信号;且其中所述解码器电路被配置成比较所述第一近场信号的属性与从第二物质接收的第二近场信号的属性。

在另一个例子实施例中,所述解码器电路被配置成指示如果所述第一物质的所述属性在所述第二物质的所述属性的预定范围内,那么所述第一物质与所述第二物质相同。

在另一个例子实施例中,所述解码器电路被配置成指示如果所述第一物质的所述属性在所述第二物质的所述属性的预定范围外,那么所述第一物质与所述第二物质不同。

在另一个例子实施例中,所述解码器电路被配置成基于所述第一物质的所述属性与所述第二物质的所述属性的接近程度而向所述第一物质分配质量水平。

在另一个例子实施例中,所述第一物质包括以下中的至少一种:液体、固体、气体、等离子体、盐水、葡萄糖、胰岛素、结构、部件组合体、混合物、食品或项目集合。

在另一个例子实施例中,接收的所述近场信号的所述属性是以下中的至少一种:信号强度、信噪比、电压、衰减、电导率或另一种电参数。

在另一个例子实施例中,所述第一近场信号的所述属性受到所述第一物质的特性中的至少一种特性影响:原子特性、分子特性、细胞特性、混合物特性、结构特性、导电特性、数量特性或体积特性。

在另一个例子实施例中,所述接收器天线与所述第一物质之间的所述电容性耦合包括以下中的至少一种:气隙或容器。

在另一个例子实施例中,进一步包括被配置成容纳所述第一物质的容器。

在另一个例子实施例中,所述第一物质的导电性大于所述容器的导电性。

在另一个例子实施例中,所述近场接收器天线基本上符合所述容器的形状。

在另一个例子实施例中,所述近场接收器天线被配置成物理地固持所述容器。

在另一个例子实施例中,所述第一近场信号包括≤30MHz的载波频率。

在另一个例子实施例中,进一步包括:另一个近场装置,所述另一个近场装置包括耦合到近场发射器天线和编码器电路的近场发射器;其中所述近场发射器天线被配置成在所述第一物质上的第二位置处电容性耦合;其中所述编码器电路被配置成产生所述第一近场信号;且其中所述近场发射器天线被配置成通过所述发射器的电容性耦合将所述第一近场信号发射到所述第一物质。

在另一个例子实施例中,所述接收器和发射器天线被配置成物理地固持所述第一物质。

在另一个例子实施例中,所述接收器和发射器天线被配置成准许移除且用额外物质替代所述第一物质。

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