[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，具备发光元件和荧光部件，所述发光元件在440nm～460nm的范围具有发光峰值波长，

所述荧光部件含有第一荧光体、第二荧光体、第三荧光体以及第四荧光体作为荧光体，

所述第一荧光体在440nm～550nm的范围具有发光峰值波长，并且含有由Eu活化的碱土铝酸盐以及在组成中具有Ca、Mg和Cl且由Eu活化的硅酸盐中的至少一者，

所述第二荧光体在500nm～600nm的范围具有发光峰值波长，并且含有由Ce活化的稀土铝酸盐，

所述第三荧光体在610nm～650nm的范围具有发光峰值波长，并且含有在组成中具有Sr和Ca中的至少一者以及Al且由Eu活化的氮化硅，

所述第四荧光体在650nm～670nm的范围具有发光峰值波长，并且含有由Mn活化的氟锗酸盐,

第三荧光体的含量相对于荧光部件中的总荧光体量的含有率为0.5质量％～10质量％，

第四荧光体相对于荧光部件中的总荧光体量的含有率为25质量％～50质量％。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置进一步具备第五荧光体，所述第五荧光体在430nm～500nm的范围具有发光峰值波长，并且含有在组成中具有Cl且由Eu活化的碱土磷酸盐。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一荧光体在第1层中含有，

所述第二荧光体在第2层中含有，

所述第三荧光体在第3层中含有，

所述第四荧光体在第4层中含有，

所述第1层～所述第4层层叠而配置。

4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述第1层～所述第4层配置于所述发光元件的上方，

所述第4层、所述第3层、所述第2层和所述第1层从所述发光元件的上表面依次配置。

5.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述发光装置具备多个封装体，

所述第一荧光体～所述第四荧光体配置于所述多个封装体中的任一者。

6.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，发出相关色温为2500K～3500K的光，在发光光谱中，所述第一荧光体相对于所述发光元件的发光峰值强度比为0.9～1.15。

7.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，发出相关色温为4500K～5500K的光，在发光光谱中，所述第一荧光体相对于所述发光元件的发光峰值强度比为0.6以下。

8.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，发出相关色温为2500K～5500K的光，在发光光谱中，在位于所述发光元件的发光峰值波长与所述第一荧光体的发光峰值波长之间的范围，发光峰值强度最低的部分相对于所述发光元件的发光峰值强度比为0.2～0.27。

9.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一荧光体含有具有下述式(1a)表示的组成的碱土铝酸盐和具有下述式(1b)表示的组成的硅酸盐中的至少一者，

(Sr，Ca，Ba)₄Al₁₄O₂₅：Eu (1a)

(Ca，Sr，Ba)₈MgSi₄O₁₆(F，Cl，Br)₂：Eu (1b)。

10.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第二荧光体含有具有下述式(2)表示的组成的稀土铝酸盐，

(Y，Lu，Gd)₃(Al，Ga)₅O₁₂：Ce (2)。

11.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第三荧光体含有具有下述式(3)表示的组成的氮化硅，

(Sr，Ca)AlSiN₃：Eu (3)。