[发明专利]一种提高高深宽比钨合金刻蚀均匀性的方法

权利要求书

1.一种提高高深宽比钨合金刻蚀均匀性的方法，步骤包括：

在钨合金基底上生长硬掩膜，所述硬掩膜包括金属掩膜、金属氮化物薄膜、金属氧化物薄膜中的至少一种，所述金属掩膜包括Al薄膜、Ti薄膜、Cr薄膜、Ni薄膜、Cu薄膜中的至少一种，所述金属氮化物薄膜包括AlN薄膜、TiN薄膜、CrN薄膜中的至少一种，所述金属氧化物薄膜包括ZnO薄膜、TiO₂薄膜、ZrO₂薄膜中的至少一种；

在硬掩膜上旋涂第一层光刻胶，经光刻、显影，形成含有开口面积较大和较小区域的第一层光刻胶图形；

依据该第一层光刻胶图形刻蚀硬掩膜，将第一层光刻胶图形转移到硬掩膜上形成硬掩膜图形，使开口面积较大和较小区域的钨合金基底露出；

在露出的钨合金基底和保留的硬掩膜上旋涂第二层光刻胶，经光刻、显影，形成第二层光刻胶图形，露出开口面积较小区域的钨合金基底，遮挡住开口面积较大区域的钨合金基底；

依据该第二层光刻胶图形进行第一次钨合金刻蚀，在开口面积较小区域的钨合金基底上刻蚀的深度达到负载效应量；

去除剩余的第二层光刻胶，依据上述硬掩膜图形进行第二次钨合金刻蚀，以在开口面积较大和较小区域的钨合金基底上刻蚀到同等深度。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钨合金基底材料包括纯钨、碳化钨、钨钼合金、钨铜合金、钨铼合金中的一种。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述钨合金基底厚度为200μm～6mm。

4.如权利要求1所述的方法，所述硬掩膜厚度为50nm～10μm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述钨合金基底上生长硬掩膜的方法包括溅射、热蒸发、离子镀、化学气相沉积中的一种。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用一光刻掩膜版制备所述第一层光刻胶图形。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用另一光刻掩膜版制备所述第二层光刻胶图形。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，依次使用丙酮、乙醇去除剩余的第二层光刻胶。