[发明专利]一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件在审
| 申请号： | 201810694486.1 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108899367A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;张葶葶;朱廷刚;朱友华 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 异质结构 二维电子气 氮化铝镓 常闭型 氮化镓 漏电流 栅极介电层 栅极电压 沟道层 可接受 势垒层 漏极 源极 申请 | ||
1.一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件，包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，其特征在于，所述异质结构包括：
作为沟道层的第一半导体层；
所述第一半导体层上形成有作为势垒层的第二半导体层；
所述第二半导体层和所述栅极之间形成有p型半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成有二维电子气，所述二维电子气在所述p型半导体层正下方消失；
所述p型半导体层与所述栅极之间插入有栅极介电层。
2.如权利要求1所述的一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件，其特征在于，所述栅极介电层的材料组成是任意氧化物或任意氮化物。
3.如权利要求1所述的一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件，其特征在于，所述栅极的组成材料为纯金属材料或合金材料。
4.如权利要求1所述的一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件，其特征在于，所述p型半导体层的组成材料为氮化镓或氮化铝镓。
5.如权利要求3所述的一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件，其特征在于，所述p型半导体层中的空穴浓度大于1×1017cm-3。
6.如权利要求1所述的一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件，其特征在于，所述器件还包括衬底，所述衬底和所述异质结构之间还分布设置有缓冲层。
7.如权利要求1所述的一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件，其特征在于，所述第一半导体层的材料组成包括氮化镓，所述第二半导体层的材料组成包括氮化铝镓。
8.如权利要求1所述的一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件，其特征在于，所述源极和所述漏极与所述第二半导体层之间形成欧姆接触。
9.如权利要求6所述的一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件，其特征在于，所述衬底的组成材料包括硅、蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氮化铝中的任意一种或两种以上的组合。
10.如权利要求6所述的一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层的组成材料包括氮化镓或氮化铝镓。
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