[发明专利]像素输出信号隔直电容的设计方法有效
| 申请号： | 201810693121.7 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110661990B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;乔劲轩;黄诗剑 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素 输出 信号 电容 设计 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种像素输出信号隔直电容的设计方法，其特征在于：
像素阵列中列输出信号通过隔直电容耦合至列信号处理模块，所述隔直电容采用像素阵列内的金属形成，包括一MOM电容或一MIM电容，减小隔直电容占用的芯片面积。
2.根据权利要求1所述的像素输出信号隔直电容的设计方法，其特征在于，所述隔直电容为同层金属的叉指结构形成的MOM电容。
3.根据权利要求2所述的像素输出信号隔直电容的设计方法，其特征在于，同一列输出信号分别连接两条平行的金属线，将耦合至列信号处理模块的金属线置于所述两条平行的金属线之间。
4.根据权利要求1所述的像素输出信号隔直电容的设计方法，其特征在于，所述隔直电容为采用多层叉指结构的MOM金属叠层。
5.根据权利要求4所述的像素输出信号隔直电容的设计方法，其特征在于，耦合至所述列输出信号的金属线包裹耦合至所述列信号处理模块的金属线。
6.根据权利要求4所述的像素输出信号隔直电容的设计方法，其特征在于，所述MOM金属叠层的相邻金属层之间采用过孔连接。
7.根据权利要求4所述的像素输出信号隔直电容的设计方法，其特征在于，通过减薄所述MOM金属叠层的相邻金属层之间介质层的厚度，增加隔直电容的容值。
8.根据权利要求1所述的像素输出信号隔直电容的设计方法，其特征在于，所述隔直电容为相邻层金属叠加形成的MIM电容。
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