[发明专利]显示装置及其制备方法

说明书

本申请公开了一种显示装置及其制备方法，显示装置包括依次设置的层间介质层、源/漏极层以及隔离层，其中，隔离层与层间介质层形成隔离部，以包裹源/漏极层。本申请通过隔离层和层间介质层将源/漏极层包裹，从而使得源/漏极层在其后续工艺中不受刻蚀液的腐蚀，能够提高膜层的覆盖性，避免出现负载效应，提高可靠度。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示装置及其制备方法。

背景技术

随着面板行业的发展，手机屏幕LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅技术)制程工艺逐渐取代a-Si。其载流子迁移率较高，可将驱动电路制作于TFT基板。另外，因其迁移率较高，TFT尺寸相比于a-Si产品更小，屏幕开口率更高。随着人们对LTPS制程的开发，In Cell Touch Panel(内嵌式触摸屏)技术被业内更多使用，相较于传统工艺Touch被制作于TFT基板上更有利于手机轻薄化。针对In cell touch panel工艺开发趋向于减小制程数量。

目前的技术中，源/漏极的侧面会在制备后续膜层时被刻蚀，造成膜层覆盖性不佳，出现负载效应，可靠度降低。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种显示装置及其制备方法，能够提高膜层的覆盖性，避免出现负载效应，提高可靠度。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种显示装置，包括依次设置的层间介质层、源/漏极层以及隔离层，其中，隔离层与层间介质层形成隔离部，以包裹源/漏极层。

其中，源/漏极层的截面形状为梯形，隔离层包覆梯形的上底和两腰，层间介质层与梯形的下底贴合。

其中，隔离层的材料为钛或氮化钛中的任一种。

其中，源/漏极层包括依次设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，第一金属层与层间介质层贴合，第一金属层、第二金属层以及第三金属层的材料分别为钼、铝以及钼；或第一金属层、第二金属层以及第三金属层的材料分别为钛、铝以及钛。

其中，显示装置包括显示区域和边缘区域，隔离层位于显示装置的边缘区域。

其中，层间介质层远离源/漏极层的一侧依次设有栅极绝缘层、缓冲层以及基板，隔离层远离源/漏极层的一侧依次设有第一介质层、第二介质层以及钝化层，其中，层间介质层与第一介质层之间还包括平坦层，第一介质层包括向层间介质层突出的凸起部，凸起部在沿平行于层间介质层表面的方向上将平坦层与源/漏极层间隔开。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置的制备方法，包括：准备层间介质层；在层间介质层上制备源/漏极层；在源/漏极层上制备隔离层，其中，隔离层与层间介质层形成隔离部，以包裹源/漏极层。

其中，在层间介质层上制备源/漏极层的步骤具体包括：在层间介质层上通过光罩曝光依次制备第一金属层、第二金属层以及第三金属层，以形成具有梯形截面源/漏极层，其中，第一金属层、第二金属层以及第三金属层的材料分别为钛、铝以及钛，第一金属层的宽度为梯形的下底长度；在源/漏极层上制备隔离层，其中，隔离层与层间介质层形成隔离部，以包裹源/漏极层的步骤具体包括：增加光罩曝光的宽度，在源/漏极层上通过光罩曝光制备隔离层，其中，隔离层的材料为钛，增加后的光罩曝光的宽度不小于梯形下底的宽度，以使隔离层包覆梯形的上底和两腰。

其中，在源/漏极层上制备隔离层，其中，隔离层与层间介质层形成隔离部，以包裹源/漏极层的步骤具体包括：在显示装置的边缘区域上的源/漏极层上制备隔离层，其中，隔离层与层间介质层形成隔离部，以包裹源/漏极层。