[发明专利]显示装置及其制备方法在审
| 申请号: | 201810671879.0 | 申请日: | 2018-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN108878448A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
| 发明(设计)人: | 张嘉伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
| 地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 源/漏极 层间介质层 显示装置 隔离层 制备 负载效应 后续工艺 依次设置 覆盖性 隔离部 可靠度 刻蚀液 膜层 申请 腐蚀 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括依次设置的层间介质层、源/漏极层以及隔离层,其中,所述隔离层与所述层间介质层形成隔离部,以包裹所述源/漏极层。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述源/漏极层的截面形状为梯形,所述隔离层包覆所述梯形的上底和两腰,所述层间介质层与所述梯形的下底贴合。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述隔离层的材料为钛或氮化钛中的任一种。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述源/漏极层包括依次设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层,所述第一金属层与所述层间介质层贴合,所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层的材料分别为钼、铝以及钼;或所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层的材料分别为钛、铝以及钛。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置包括显示区域和边缘区域,所述隔离层位于所述显示装置的边缘区域。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述层间介质层远离所述源/漏极层的一侧依次设有栅极绝缘层、缓冲层以及基板,所述隔离层远离所述源/漏极层的一侧依次设有第一介质层、第二介质层以及钝化层,其中,所述层间介质层与所述第一介质层之间还包括平坦层,所述第一介质层包括向所述层间介质层突出的凸起部,所述凸起部在沿平行于所述层间介质层表面的方向上将所述平坦层与所述源/漏极层间隔开。
7.一种显示装置的制备方法,其特征在于,包括:
准备层间介质层;
在所述层间介质层上制备源/漏极层;
在所述源/漏极层上制备隔离层,其中,所述隔离层与所述层间介质层形成隔离部,以包裹所述源/漏极层。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,
所述在所述层间介质层上制备源/漏极层的步骤具体包括:
在所述层间介质层上通过光罩曝光依次制备第一金属层、第二金属层以及第三金属层,以形成具有梯形截面所述源/漏极层,其中,所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层的材料分别为钛、铝以及钛,所述第一金属层的宽度为所述梯形的下底长度;
所述在所述源/漏极层上制备隔离层,其中,所述隔离层与所述层间介质层形成隔离部,以包裹所述源/漏极层的步骤具体包括:
增加光罩曝光的宽度,在所述源/漏极层上通过光罩曝光制备所述隔离层,其中,所述隔离层的材料为钛,增加后的所述光罩曝光的宽度不小于所述梯形下底的宽度,以使所述隔离层包覆所述梯形的上底和两腰。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述在所述源/漏极层上制备隔离层,其中,所述隔离层与所述层间介质层形成隔离部,以包裹所述源/漏极层的步骤具体包括:
在所述显示装置的边缘区域上的所述源/漏极层上制备隔离层,其中,所述隔离层与所述层间介质层形成隔离部,以包裹所述源/漏极层。
10.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,
所述准备层间介质层的步骤具体包括:
准备基板;
在所述基板上一侧制备缓冲层、栅极绝缘层以及以及所述层间介质层;
所述在所述源/漏极层上制备隔离层,其中,所述隔离层与所述层间介质层形成隔离部,以包裹所述源/漏极层的步骤之后包括:
依次制备平坦层、第一介质层、第二介质层以及钝化层,其中,所述第一介质层包括向所述层间介质层突出的凸起部,所述凸起部在沿平行于所述层间介质层表面的方向上将所述平坦层与所述源/漏极层间隔开。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810671879.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





