[发明专利]一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法

权利要求书

1.一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)将一个完整的晶圆片（2），以垂直于大解离边（2）的方向将晶圆片（2）平均等分成两个半圆片（3）；

b)将半圆片（3）放置到蓝膜上，完成覆膜；

c)将覆膜后的半圆片（3）以取中心的方式划制第一裂片线，第一裂片线平行于大解离边（2），沿第一裂片线进行裂片操作将半圆片（3）分割成两个等分的扇形片；

d)将扇形片以取中心的方式划制第二裂片线，第二裂片线平行于第一裂片线，沿第二裂片线进行裂片操作将扇形片分割成两个等分的晶圆块；

e)判断晶圆块的宽度是否大于巴条（4）宽度的2-3倍，当晶圆块的宽度小于巴条（4）宽度的2-3倍时停止裂片，当晶圆块的宽度大于巴条（4）宽度的2-3倍时执行步骤f)；

f)将晶圆块以取中心的方式划制裂片线，该裂片线平行于第二裂片线，沿裂片线进行裂片操作将晶圆块分割；

g)将步骤f)分割后的晶圆块按步骤e)的方法操作。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器用解巴条的二分裂方法，其特征在于：步骤c)中裂片操作时，在半圆片（3）下端设置垫铁（5），所述垫铁（5）上端面为与水平面相平行的平面（6），平面（6）的外侧端为斜面（7），所述斜面（7）与平面（6）的夹角处形成沿垫铁（5）长度方向延伸的脊线（8），半圆片（3）的下端与平面（6）相接触，第一裂片线与脊线（8）相重合。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器用解巴条的二分裂方法，其特征在于：步骤d)中裂片操作时，在扇形片下端设置垫铁（5），所述垫铁（5）上端面为与水平面相平行的平面（6），平面（6）的外侧端为斜面（7），所述斜面（7）与平面（6）的夹角处形成沿垫铁（5）长度方向延伸的脊线（8），扇形片的下端与平面（6）相接触，第二裂片线与脊线（8）相重合。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器用解巴条的二分裂方法，其特征在于：步骤f)中裂片操作时，在晶圆块下端设置垫铁（5），所述垫铁（5）上端面为与水平面相平行的平面（6），平面（6）的外侧端为斜面（7），所述斜面（7）与平面（6）的夹角处形成沿垫铁（5）长度方向延伸的脊线（8），晶圆块的下端与平面（6）相接触，裂片线与脊线（8）相重合。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器用解巴条的二分裂方法，其特征在于：步骤c)、步骤d)以及步骤f)中裂片操作时，使用滚轮（9）沿第一裂片线、第二裂片线以及裂片线的方向滚压进行裂片，所述滚轮（9）上沿圆周方向设置有两个环形的凸起（10），两个环形凸起（10）之间的间距与巴条（4）的宽度相配。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器用解巴条的二分裂方法，其特征在于：步骤c)、步骤d)以及步骤f)中裂片操作时，在显微镜下进行，所述显微镜镜头的十字线分布与第一裂片线、第二裂片线以及裂片线的方向相重合。