[发明专利]一种非易失存储器处理方法及装置

说明书

本发明实施例提供了一种非易失存储器处理方法及装置，该方法包括：获取非易失存储器中的当前擦除脉冲状态；根据所述当前擦除脉冲状态，确定调节电压；确定当前擦除脉冲对应的第一电压；根据所述调节电压和所述第一电压，确定下一擦除脉冲对应的第二电压；在所述下一擦除脉冲中，根据所述第二电压进行擦除操作。本发明实施例中，第二电压是根据当前的对非易失存储器的实际擦除情况确定的，在下一擦除脉冲中根据第二电压进行擦除操作，可以实现对非易失存储器的整个擦除过程中，进行可靠且高效的擦除操作。

技术领域

本发明涉及存储器处理技术领域，特别是涉及一种非易失存储器处理方法及装置。

背景技术

随着各种电子装置及嵌入式系统等的发展，非易失性存储器件被广泛应用于电子产品中。以非易失性存储器NAND闪存(NAND Flash Memory)为例，NAND存储器由多个存储单元(cell)组成，可以实现多次编程，容量大，读写简单，外围器件少，价格低廉。

现有技术中，在对NAND存储器进行擦除操作时，擦除进程通常对应多个擦除脉冲，初始时擦除脉冲对应的电压为初始电压，随着擦除操作的进行，各擦除脉冲对应的电压会以初始电压为基础，按照固定擦除脉冲电压差逐渐增加，直到完成擦除操作。

然而，发明人在研究上述技术方案的过程中发现，上述技术方案存在如下缺陷：如果上述固定擦除脉冲电压差较小，则对NAND存储器进行擦除操作时，对cell造成的损伤较小，使得cell的可靠性较高，但是擦除效率较低；如果固定擦除脉冲电压差较大，则对NAND存储器进行擦除操作时，擦除效率较高，但是会对cell造成损伤，导致cell可靠性降低。即无论将固定擦除脉冲电压差设定为何种值，都不能实现对非易失存储器进行又可靠又高效的擦除操作。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种非易失存储器处理方法及装置。

根据本发明的第一方面，提供了一种非易失存储器处理方法，所述方法包括：

获取非易失存储器中的当前擦除脉冲状态；

根据所述当前擦除脉冲状态，确定调节电压；

确定当前擦除脉冲对应的第一电压；

根据所述调节电压和所述第一电压，确定下一擦除脉冲对应的第二电压；

在所述下一擦除脉冲中，根据所述第二电压进行擦除操作。

根据本发明的第二方面，提供了一种非易失存储器处理装置，所述装置包括：

当前擦除脉冲状态获取模块，用于获取非易失存储器中的当前擦除脉冲状态；

调节电压确定模块，用于根据所述当前擦除脉冲状态，确定调节电压；

第一电压确定模块，用于确定当前擦除脉冲对应的第一电压；

第二电压确定模块，用于根据所述调节电压和所述第一电压，确定下一擦除脉冲对应的第二电压；

擦除模块，用于在所述下一擦除脉冲中，根据所述第二电压进行擦除操作。