[发明专利]Mn-Zn-W-O系溅射靶材及其制备方法

说明书

本发明提供：尽管Mn相对于W的金属摩尔比(Mn/W)为1.0以上，但在用于DC溅射时，抑制异常放电，并且可稳定成膜的Mn‑Zn‑W‑O系溅射靶材及其制备方法。所述溅射靶材是在成分组成中含有Mn、Zn、W和O的Mn‑Zn‑W‑O系溅射靶材，其中，Mn相对于W的含量比(Mn/W)为1.0以上，含有W、MnWO₄和MnO的结晶相，按W的结晶相和MnWO₄的结晶相的总和为100摩尔%计，W的结晶相超过16摩尔%。

技术领域

本发明特别是涉及对光信息记录介质的记录层的形成有用的Mn-Zn-W-O系溅射靶材及其制备方法。

背景技术

近年来，作为以廉价的材料成本得到良好的记录特性的WORM光盘的记录层，实际应用含有锰氧化物和多种无机元素的记录层。

上述记录层可使用由锰氧化物和多种无机元素组成的溅射靶材形成。作为溅射法，有高频溅射法、直流(DC)溅射法等，但从生产能力的观点出发，期望使用DC溅射法。

但是，在DC溅射法中，由于对溅射靶材施加直流电压，所以在因溅射靶材中的金属氧化物而得不到充分的导电性的情况下，有产生异常放电(电弧)之虞。若在成膜期间产生异常放电，则对记录层造成损害，导致成品率降低。

由于如上所述的背景，在专利文献1中，提出了即使用于DC溅射，也不产生异常放电，可稳定成膜的Mn-Zn-W-O系溅射靶材。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-088932号公报。

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在本发明人对专利文献1的Mn-Zn-W-O系溅射靶材进一步重复研究时，明确了：若使溅射靶材中含有的Mn相对于W的含量比(Mn/W)为1.0以上，则变得容易产生异常放电。

本发明鉴于上述情况而开发，其目的在于，提供尽管Mn相对于W的金属摩尔比(Mn/W)为1.0以上，但在用于DC溅射时，抑制异常放电，并且可稳定成膜的Mn-Zn-W-O系溅射靶材及其制备方法。

解决课题的手段

为了达成上述目的，本发明提供以下溅射靶材，其是在成分组成中含有Mn、Zn、W和O的Mn-Zn-W-O系溅射靶材，其中，Mn相对于W的含量比(Mn/W)为1.0以上，含有W、MnWO₄和MnO的结晶相，按W的结晶相和MnWO₄的结晶相的总和为100摩尔%计，W的结晶相超过16摩尔%。

所述溅射靶材可在所述成分组成中进一步含有Cu。

所述溅射靶材可在所述成分组成中进一步含有选自Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Ta、Cr和Tb的至少1种以上的元素。

另外，本发明提供以下制备方法，其是所述Mn-Zn-W-O系溅射靶材的制备方法，其包括：将含有锰氧化物粉末、锌氧化物粉末和金属钨粉末的混合粉末湿式混合12小时以上的混合工序，和在所述混合工序之后，将所述混合粉末在600℃以上的温度下烧结的烧结工序。

所述混合粉末可进一步含有含铜粉末。

所述含铜粉末可为金属铜粉末。

所述混合粉末可进一步含有由选自以下的至少1种元素的单体或化合物组成的粉末：Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Ta、Cr和Tb。

发明的效果