[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体芯片；和

耦合到所述半导体芯片的布线板，

其中所述布线板包括：

耦合到信号线的信号通孔结构；和

耦合到地线的接地通孔结构，以及

其中所述信号通孔结构和所述接地通孔结构在平面图中具有相互重叠的部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述布线板包括：

配备有所述半导体芯片的第一构建层；

位于所述第一构建层的下层中的核心层；和

位于所述核心层的下层中的第二构建层，

其中所述信号通孔结构包括：

形成在所述核心层的表面处的表面连接盘；

耦合到所述表面连接盘并穿透所述核心层的信号贯通孔；和

电耦合到所述信号贯通孔并且形成在所述第二构建层的背表面处的背表面端子，

其中所述接地通孔结构包括：

形成在所述核心层的表面处的接地表面图案；和

耦合到所述接地表面图案并穿透所述核心层的接地贯通孔，以及

其中所述背表面端子和所述接地表面图案在平面图中具有相互重叠的部分。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述接地通孔结构包括电耦合到所述接地贯通孔并且形成在所述第二构建层的所述背表面处的接地背表面图案，

其中所述布线板耦合到配备有所述半导体装置的安装板，

其中所述安装板具有电耦合到所述信号通孔结构的信号布线图案，以及

其中所述接地背表面图案和所述信号布线图案在平面图中具有相互重叠的部分。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述背表面端子在平面图中由所述接地背表面图案部分地围绕。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中电耦合所述半导体芯片和所述信号通孔结构的第一布线结构是在所述第一构建层的表面处形成的，以及

其中在平面图中，设置在所述接地背表面图案中的切口部分存在于所述第一布线结构延伸的第一方向上的延伸部上。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中所述接地背表面图案形成有与所述切口部分连通并且在平面图中部分地围绕所述背表面端子的开口图案，以及

其中当所述切口部分在与所述第一方向相交的第二方向上的宽度被定义为W1，并且所述开口图案在所述第二方向上的最大宽度被定义为W2时，建立W1/W2≥0.4的关系。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中所述半导体装置具有多个所述接地通孔结构，以及

其中所述接地表面图案耦合到所述接地通孔结构。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述接地通孔结构被布置为分立地围绕所述背表面端子。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述信号线传播频率为80GHz或更高的信号。

10.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述核心层的厚度为400μm或更小。