[发明专利]一种基于膦硫/氧修饰吩嗪的光电功能材料及其合成方法

权利要求书

1.一种基于膦硫/氧修饰吩嗪的光电功能材料，其特征在于：

该结构通式如下式(I)所示：

其中，R₁和R₂为烷基链或芳基及其衍生物，X₁和X₂为硫原子或氧原子。

2.根据权利要求1所述的一种基于膦硫/氧修饰吩嗪的光电功能材料，其特征在于：所述烷基链为甲基、乙基、异丙基、叔丁基、正丁基、环乙烷或环己烷中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种基于膦硫/氧修饰吩嗪的光电功能材料，其特征在于：所述芳基及其衍生物为苯基、4-甲基苯基、3，5-二甲基苯基、2，4，6-三甲基苯基、4-甲氧基苯基、4-异丙氧基苯基、4-甲氧基-3，5-二甲基苯基、萘-1-基或呋喃-2-基中的任意一种。

4.根据权利要求所述的一种基于膦硫/氧修饰吩嗪的光电功能材料的合成方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

S1：在氮气保护下，将吩嗪溶解于乙醇中，将连二亚硫酸钠溶于蒸馏水中，然后将连二亚硫酸钠的水溶液注入到吩嗪的乙醇溶液体系中，在热回流和遮光的条件下反应1～5个小时，待冷却至室温，将体系中的絮状物经减压蒸馏，得到白色粉末状产物，常温干燥，得到5，10-二氢吩嗪中间体；

S2：在氮气保护下，将S1步骤中得到的5，10-二氢吩嗪中间体溶解于无水四氢呋喃中，低温下加入正丁基锂，得到反应体系；

S3：向S2得到的反应体系中加入含氯化膦结构的化合物，升温进行反应，萃取后提纯，得到含膦的芳香族衍生物中间体；

S4：常温下，将S3所得中间体溶于二氯甲烷中，加入硫粉或双氧水，控制当量，反应过夜，萃取后提纯，得到含膦硫/氧修饰的吩嗪化合物。

5.根据权利要求4所述的一种基于膦硫/氧修饰吩嗪的光电功能材料的合成方法，其特征在于：在S4中，对于式(I)中X₁或X₂为硫原子时，将S3中得到的含膦的芳香族衍生物中间体溶于二氯甲烷溶液中，加入一定量的硫粉，常温下搅拌过夜，提纯，即得到目标产物。

6.根据权利要求4所述的一种基于膦硫/氧修饰吩嗪的光电功能材料的合成方法，其特征在于：在S4中，对于式(I)中X₁或X₂为氧原子时，将S3中得到的含膦的芳香族衍生物中间体溶于二氯甲烷溶液中，然后控制反应体系在低温环境，加入一定量30％的过氧化氢，保持低温十分钟，恢复室温，常温下搅拌过夜，提纯，即得到目标产物。

7.根据权利要求6所述的一种基于膦硫/氧修饰吩嗪的光电功能材料的合成方法，其特征在于：在S1中，吩嗪与连二亚硫酸钠的摩尔比为1∶8～1∶10，反应温度为90～100℃，反应时间为1～5小时。

8.根据权利要求6所述的一种基于膦硫/氧修饰吩嗪的光电功能材料的合成方法，其特征在于：在S2步骤中，5，10-二氢吩嗪中间体与正丁基锂的摩尔比为1∶2～1∶2.5，反应时间为1.5～2小时。

9.根据权利要求6所述的一种基于膦硫/氧修饰吩嗪的光电功能材料的合成方法，其特征在于：在S3中，5，10-二氢吩嗪中间体与含氯化膦结构的化合物的摩尔比为1∶2～1∶2.5，萃取用二氯甲烷和水，反应时间为12小时。

10.根据权利要求6所述的一种基于膦硫/氧修饰吩嗪的光电功能材料的合成方法，其特征在于：在S4中，含膦的芳香族衍生物中间体和硫粉或双氧水的摩尔比为1∶2～1∶3，反应温度为常温，反应时间为12小时。