[发明专利]基于酞菁的Ni-Ln异双核磁性配合物及其制备方法在审
| 申请号: | 201810617003.8 | 申请日: | 2018-06-14 |
| 公开(公告)号: | CN108864211A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
| 发明(设计)人: | 葛景园;潘颖;陈忠研;黄帅;霍德璇 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号: | C07F19/00 | 分类号: | C07F19/00;H01F1/42 |
| 代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 杜立 |
| 地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制备 配合物 酞菁 分子基磁性材料 高密度信息存储 氨基 磁化 乙烷 单分子磁体 二价阴离子 三价阴离子 双核配合物 磁性配合 频率依赖 设备使用 室温溶剂 外加磁场 稀土离子 亚水杨基 可控性 弛豫 双核 铁磁 合成 扩散 交流 | ||
1.一种基于酞菁的Ni(II)-Ln(III)异双核磁性配合物,其特征在于,所述配合物是由酞菁和1,1,1-三[(亚水杨基氨基)甲基]乙烷共同构筑的Ni(II)-Ln(III)中性配合物,其结构式如下:
其中Ln为稀土离子镝或者铽;该类配合物结晶于单斜晶系,属于P21/c空间群,晶胞参数为Z=4;一个不对称单元中包含一个双核Ni(II)-Ln(III)异金属结构单元,其中Ni(II)采取{NiO3N3}八面体的配位方式,Ln(III)处于{LnO3N4}的七配位环境中。
2.如权利要求1所述的基于酞菁的Ni(II)-Ln(III)异双核磁性配合物的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
一、将1,1,1-三[(亚水杨基氨基)甲基]乙烷和六水合二氯化镍混合,加入二氯甲烷和甲醇的混合溶液中,其中二氯甲烷和甲醇的体积比为1:2,室温搅拌,得到淡绿色固体粉末。然后将所得固体粉末溶入甲醇溶液中,并向其中加入三乙胺,室温搅拌得到澄清溶液;
二、将酞菁乙酰丙酮稀土盐在甲醇和乙腈的混合溶液中搅拌,其中甲醇和乙腈的体积比为1:1,得到混合溶液;
三、将步骤二得到的溶液缓慢铺在步骤一所得溶液上,室温静置便可制得所述异双核磁性配合物的绿色棒状晶体。经纯净的甲醇和乙腈的混合溶液洗涤2次,空气中干燥。
3.如权利要求2所述的基于酞菁的Ni(II)-Ln(III)异双核磁性配合物的制备方法,其特征在于步骤二中甲醇和乙腈的体积比为1:1。
4.如权利要求2所述的基于酞菁的Ni(II)-Ln(III)异双核磁性配合物的制备方法,其特征在于步骤三中室温静置1–6天。
5.如权利要求2所述的基于酞菁的Ni(II)-Ln(III)异双核磁性配合物的制备方法,其特征在于所述反应物1,1,1-三[(亚水杨基氨基)甲基]乙烷、六水合二氯化镍、三乙胺和酞菁乙酰丙酮镝盐的摩尔比为1:1:1–2:1–2。
6.如权利要求1所述的基于酞菁的Ni(II)-Ln(III)异双核磁性配合物作为分子基磁性材料在高密度信息存储设备中的应用。
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