[发明专利]气体溶解液制造装置

说明书

本发明提供能够使第二原料的气体溶解于第一原料的液体时的溶解效率提高的气体溶解液制造装置。气体溶解液制造装置(1)具备：气体溶解部(5)，该气体溶解部使第二原料的气体溶解于第一原料的液体而产生规定浓度的气体溶解液；以及气液分离部(8)，该气液分离部将由气体溶解部产生的气体溶解液气液分离供给液体和排出气体。气体溶解部具备：第一喷嘴(9)，该第一喷嘴使第一原料的液体雾化；雾混合部(11)，该雾混合部将第一原料的液体与第二原料的气体混合，产生浓度比规定浓度高的高浓度的气体溶解液；以及液体混合部(12)，该液体混合部将由雾混合部产生的高浓度的气体溶解液与第一原料的液体混合，产生规定浓度的气体溶解液。

技术领域

本发明涉及将第一原料的液体与第二原料的气体混合而制造供给液体的气体溶解液制造装置。

背景技术

近年来，伴随制造工艺的复杂化，电路图案的细微化，半导体设备工厂、液晶等电子部件制造工厂的制品的清洗工艺逐步提高。例如，使用在功能水(超纯水等)中溶解了高纯度的气体或溶解了高纯度气体和药品的特殊的液体(称为清洗液)，去除附着于硅晶片的微粒子、金属、有机物等。

作为清洗处理方式，除了同时浸渍多个硅晶片及对多个硅晶片重复清洗操作的“批量处理方式”以外，还与多品种少量生产的制品对应而采用对每一个晶片进行药品清洗及超纯水清洗的“单晶片处理方式”。单晶片处理方式与批量处理方式相比，每个晶片的清洗工序时间(单件工时)较长，清洗液的使用量较多，因此有缩短单件工时及降低清洗液使用量的需求。现在，为了在短时间的有效的清洗及降低清洗液使用量，单独或同时使用多个功能水以及药品，进行以短时间切换清洗工序的高级的清洗工艺。

作为功能水，使用在超纯水中溶解了臭氧气体的臭氧水。臭氧水一般由臭氧水制造装置制造。伴随清洗工艺的提高及复杂化，要求在短时间内的臭氧水向清洗装置的供给及停止，但现有的装置一旦停止臭氧水的制造，则直到能够再次供给要求臭氧浓度及要求流量的臭氧水为止需要一定的时间(启动时间)。因此，为了对应向清洗装置的臭氧水的供给要求，提出了能够制造与使用点所需要的量对应的臭氧水的臭氧水制造装置(例如参照专利文献1)。在现有的臭氧水制造装置中，作为将水和臭氧气体混合而产生臭氧水的混合器，使用了利用文丘里效应来混合水和气体的结构(例如，抽吸器、喷射器等)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016－64386号公报

发明概要

发明要解决的课题

然而，在现有的气体溶解液制造装置中，并未特别考虑使臭氧溶解于水时的溶解效率，有使臭氧溶解于水时的溶解效率的进一步提高的需求。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种气体溶解液制造装置，能够使第二原料的气体溶解于第一原料的液体时的溶解效率提高。

用于解决课题的手段

本发明的气体溶解液制造装置具备：气体溶解部，该气体溶解部使第二原料的气体溶解于第一原料的液体而产生规定浓度的气体溶解液；以及气液分离部，该气液分离部将由所述气体溶解部产生的所述气体溶解液气液分离成向使用点供给的供给液体和从排气口排出的排出气体，所述气体溶解部具备：第一喷嘴，该第一喷嘴使所述第一原料的液体雾化；雾混合部，该雾混合部将由所述第一喷嘴雾化后的所述第一原料的液体与所述第二原料的气体混合，产生浓度比所述规定浓度高的高浓度的气体溶解液；以及液体混合部，该液体混合部将由所述雾混合部产生的高浓度的气体溶解液与第一原料的液体混合，产生所述规定浓度的气体溶解液。

根据该结构，在使第二原料的气体溶解于第一原料的液体而产生气体溶解液时，使第一原料的液体雾化(雾状的微粒化)而与第二原料的气体混合。由此，能够使第二原料的气体溶解于第一原料的液体时的溶解效率提高，能够有效地进行气体溶解液的生成。