[发明专利]通过独立控制TEOS流量的沉积径向和边缘轮廓可维持性

权利要求书

1.一种用于处理基板的处理腔室，包括：

穿孔盖；

设置在所述穿孔盖上的气体阻滞器，所述气体阻滞器包括：

气体歧管；

在所述气体歧管中形成的中心气体通道；

设置在所述气体歧管下方的第一气体分配板，所述第一气体分配板包括环绕所述中心气体通道的内沟槽和环绕所述内沟槽的外沟槽，且所述内沟槽和所述外沟槽被布置成两个同心圆；

在所述气体歧管中形成的第一气体通道，所述第一气体通道具有与第一气体源流体连通的第一端和与所述内沟槽流体连通的第二端；

在所述气体歧管中形成的第二气体通道，所述第二气体通道具有与所述第一气体源流体连通的第一端和与所述外沟槽流体连通的第二端；

设置在所述第一气体分配板下方的第二气体分配板，所述第二气体分配板包括：

穿过所述第二气体分配板的底部而形成的多个通孔；

与所述中心气体通道流体连通的中心开口；以及

在所述第二气体分配板的顶表面中形成的凹陷区域，所述凹陷区域环绕所述中心开口；

设置在所述第二气体分配板下方的第三气体分配板，所述第三气体分配板包括穿过所述第三气体分配板的底部而形成的多个通孔，并且所述第三气体分配板接触所述穿孔盖的顶表面；

设置在所述第二气体分配板和所述第三气体分配板之间的多个直通通道，并且每个直通通道延伸穿过所述穿孔盖；以及

设置在所述穿孔盖下方的基板支撑件。

2.根据权利要求1所述的处理腔室，其中，所述第三气体分配板包括：

限定所述第三气体分配板的内气体区的内环，所述内气体区与所述内沟槽流体连通；以及

环绕所述内环的外环，所述内环和所述外环同心地设置在所述第二气体分配板和所述第三气体分配板之间，其中，所述内环和所述外环限定所述第三气体分配板的外气体区，并且所述外气体区与所述第二气体分配板的所述凹陷区域流体连通。

3.一种用于处理基板的处理腔室，包括：

第一气体源，所述第一气体源包括第一气体管线和第二气体管线；

穿孔盖；

设置在所述穿孔盖上的气体阻滞器，所述气体阻滞器包括：

气体歧管；

在所述气体歧管中形成的中心气体通道；

设置在所述气体歧管下方的第一气体分配板，所述第一气体分配板包括环绕所述中心气体通道的内沟槽和环绕所述内沟槽的外沟槽，且所述内沟槽和所述外沟槽被布置成两个同心圆；

在所述气体歧管中形成的第一气体通道，所述第一气体通道具有与所述第一气体管线流体连通的第一端和与所述内沟槽流体连通的第二端；

在所述气体歧管中形成的第二气体通道，所述第二气体通道具有与所述第二气体管线流体连通的第一端和与所述外沟槽流体连通的第二端；

设置在所述第一气体分配板下方的第二气体分配板，所述第二气体分配板包括穿过所述第二气体分配板的底部而形成的多个通孔；

设置在所述第二气体分配板下方的第三气体分配板，所述第三气体分配板包括穿过所述第三气体分配板的底部而形成的多个通孔，并且所述第三气体分配板接触所述穿孔盖的顶表面；以及

设置在所述穿孔盖下方的基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面。

4.根据权利要求3所述的处理腔室，其中，所述第二气体分配板包括：

与所述中心气体通道流体连通的中心开口；以及

在所述第二气体分配板的顶表面中形成的凹陷区域，所述凹陷区域环绕所述中心开口并且在所述中心开口和所述第二气体分配板的边缘之间径向延伸。

5.根据权利要求4所述的处理腔室，其中，所述第三气体分配板包括：

在所述第三气体分配板的顶表面中形成的凹陷区域。

6.根据权利要求5所述的处理腔室，其中，所述第三气体分配板包括：

限定所述第三气体分配板的内气体区的内环，所述内气体区与所述内沟槽流体连通；以及

环绕所述内环的外环，所述内环和所述外环同心地设置在所述第二气体分配板和所述第三气体分配板之间，其中，所述内环和所述外环限定所述第三气体分配板的外气体区，并且所述外气体区与所述第二气体分配板的所述凹陷区域流体连通。