[发明专利]一种利用三极管存储时间进行芯片电源供电的方法

权利要求书

1.一种利用三极管存储时间进行芯片电源供电的方法，其特征在于，所述利用三极管存储时间进行芯片电源供电的方法包括：

通过S/H采样保持电路对芯片电源VCC周期性地进行采样保持，然后将采样保持的VCCS送入误差放大器的负端，通过在EAMP误差放大器的正端的REF1对稳定的VCC电压进行设置，EAMP误差放大器的输出输送到三极管的Storage Time Control存储时间控制电路，Storage Time Control存储时间控制电路根据EAMP误差放大器的输出和开关电源的PWM信号，产生存储时间控制信号PWMBD并控制三极管的Base端和Emitter端，最后通过Drive驱动模块来控制VCC充电；

其中，EAMP误差放大器包括晶体管PM1、晶体管PM2、晶体管NM1、晶体管NM2、晶体管NM3和尾电流源Iss；尾电流源Iss与晶体管PM1的源极、晶体管PM2的源极连接；晶体管PM1的漏极与晶体管NM1的漏极、晶体管NM1的栅极连接；晶体管PM2的漏极与晶体管NM2的漏极、晶体管NM2的栅极、晶体管NM3的栅极连接；晶体管PM1的栅极输入REF1，晶体管PM2的栅极输入VCCS；晶体管NM1、NM2、NM3的源极均接地；晶体管NM3的漏极作为EAMP误差放大器的输出；

Storage Time Control存储时间控制电路包括晶体管PM5、晶体管PM6、晶体管NM4、电流源I0、电容C1和比较器COMP；晶体管PM5的源极与晶体管PM6的源极、电流源I0的一端连接；晶体管PM5的漏极、晶体管PM5的栅极、晶体管PM6的栅极均与EAMP误差放大器的输出连接；晶体管PM6的漏极与电流源I0的另一端、晶体管NM4的漏极、电容C1的一端、比较器COMP的负端连接；晶体管NM4的源极和电容C1的另一端均接地；晶体管NM4的栅极输入PWM信号；比较器COMP的正端输入REF2，输出端作为Storage Time Control存储时间控制电路的输出，产生存储时间控制信号PWMBD。

2.根据权利要求1所述的利用三极管存储时间进行芯片电源供电的方法，其特征在于，所述S/H采样保持电路的周期至少不小于开关周期。

3.根据权利要求1所述的利用三极管存储时间进行芯片电源供电的方法，其特征在于，所述误差放大器电路，增益至少大于40dB。

4.根据权利要求1所述的利用三极管存储时间进行芯片电源供电的方法，其特征在于，所述三极管存储时间控制设置有最大时间，用来保护三极管，防止三极管烧毁。