[发明专利]适用于GaN功率开关器件的高速半桥栅驱动电路

权利要求书

1.适用于GaN功率开关器件的高速半桥栅驱动电路，其特征在于，包括：

前级逻辑控制模块，用于将脉冲宽度调制信号(PWM)转化为电源轨为低压电源轨的第一短脉冲信号(CTRH0)和第二短脉冲信号(CTRH1)，所述第一短脉冲信号(CTRH0)的上升沿与所述脉冲宽度调制信号(PWM)的上升沿保持一致，所述第二短脉冲信号(CTRH1)的上升沿与所述脉冲宽度调制信号(PWM)的下降沿保持一致；

电平位移模块，根据所述第一短脉冲信号(CTRH0)和第二短脉冲信号(CTRH1)产生电源轨为高压电源轨的第一控制信号(LS_out)，所述第一控制信号(LS_out)与所述脉冲宽度调制信号(PWM)具有相同的占空比；

高压转低压电平位移模块，将所述第一控制信号(LS_out)转化为电源轨为低压电源轨的第二控制信号(HLD_out)，所述第二控制信号(HLD_out)用于控制所述前级逻辑控制模块的开启和关断，从而调整所述第一短脉冲信号(CTRH0)和所述第二短脉冲信号(CTRH1)的脉冲宽度；

缓冲模块，其输入端连接所述第一控制信号(LS_out)，输出端输出栅驱动信号(DRVH)。

2.根据权利要求1所述的适用于GaN功率开关器件的高速半桥栅驱动电路，其特征在于，所述前级逻辑控制模块的电源轨为低压电源轨，其电源端连接电源电压(VDD)，其接地端连接地电压(VSS)；

所述前级逻辑控制模块包括第一与非门(NAND1)、第一反相器(INV1)、第二反相器(INV2)、第一与门(AND1)、第二与门(AND2)、第一缓冲器(Buffer1)和第二缓冲器(Buffer2)，

第一与非门(NAND1)的第一输入端连接使能信号(EN)，其第二输入端连接所述脉冲宽度调制信号(PWM)，其输出端连接第一反相器(INV1)的输入端和第二与门(AND2)的第一输入端；第一反相器(INV1)的输出端连接第一与门(AND1)的第一输入端；

第二反相器(INV2)的输入端连接第二与门(AND2)的第二输入端并连接所述第二控制信号(HLD_out)，其输出端连接第一与门(AND1)的第二输入端；

第一缓冲器(Buffer1)的输入端连接第一与门(AND1)的输出端，其输出端输出所述第一短脉冲信号(CTRH0)；

第二缓冲器(Buffer2)的输入端连接第二与门(AND2)的输出端，其输出端输出所述第二短脉冲信号(CTRH1)。