[发明专利]一种UV解粘抗酸保护膜有效

专利信息
申请号: 201810553133.X 申请日: 2018-06-01
公开(公告)号: CN108676512B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 请求不公布姓名 申请(专利权)人: 山西晋川合成材料股份有限公司
主分类号: C09J7/25 分类号: C09J7/25;C09J7/30;C08L67/04;C09J175/04;C09J11/04;C09J11/08;C09J11/06
代理公司: 深圳锦开创识知识产权代理事务所(普通合伙) 44911 代理人: 曾咏生
地址: 034000 山西省忻州市原*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 uv 解粘抗酸 保护膜
【说明书】:

发明提供一种UV解粘抗酸保护膜,由水性聚氨酯、丙烯酸树脂、玻璃微珠、紫外固化剂、增粘剂组成的胶液涂布于PLA/PHA/PLA共挤薄膜上得到。该保护膜环保性好、耐氢氟酸腐蚀、具有较好的初始粘度和稳定性,经UV照射后解粘速度快、容易剥离。

技术领域

本发明涉及一种功能性薄膜,更具体地,一种应用于大规模集成电路及半导体加工的UV解粘抗酸保护膜。

背景技术

在大规模集成电路的制造和半导体器件的制造加工过程中,必不可少的基础材料是半导体芯片,半导体芯片是以单晶硅片加工而成的。单晶硅片简称晶圆。在对晶圆材料进行切割、磨削加工时,需要用一种特殊的保护膜进行粘结固定,确保芯片边沿整齐,无多角、崩边、裂纹,表面无划伤、无残留晶渣及脏物污染。加工完毕后,需要把加工好的晶圆切片从保护膜上能轻易的完全剥离下来,不影响晶圆材料本身。这种使用时具有高粘结强度而通过紫外光照后又可以迅速彻底的失去粘性的保护膜称之为UV解粘保护膜。

然而由于较多情况下,半导体加工存在酸性环境,目前的UV解粘保护膜容易发生变性,难以有效保护半导体免于酸液的侵蚀,造成产品报废率较高,且解粘速度仍然限制了生产效率的提高。

发明内容

为了克服上述技术中的缺陷,本发明提供一种UV解粘抗酸保护膜。该保护膜环保性好、耐氢氟酸腐蚀、具有较好的初始粘度和稳定性,经UV照射后解粘速度快、容易剥离。

为了达到此目的,本发明采用以下技术方案:

一种UV解粘抗酸保护膜,包括可降解基膜和粘结层,所述的粘结层包括以下组分,按重量份计:

所述的水性聚氨酯为由聚己二酸丁二醇酯与异佛尔酮二异氰酸酯经聚合反应制得聚氨酯预聚物加水分散后的得到的水性聚氨酯分散体,固含量为30%。

所述的丙烯酸树脂为有机硅同甲基丙烯酸甲酯嵌段共聚得到的丙烯酸树脂,其中有机硅为乙烯基硅氧烷。

所述的玻璃微珠粒径为1-3微米。

所述紫外固化剂为2-异丙基硫杂蒽酮、4-二甲胺基-苯甲酸乙酯中的至少一种。

所述的增粘剂为羟丙基甲基纤维素、羧甲基纤维素钠和羟乙基纤维素的任意一种。

所述基膜为PLA/PHA/PLA共挤薄膜,其中PHA为3-羟基丙酸和5羟基戊酸共聚物,熔融指数为9-10g/10min。

有益效果:

1.采用水性聚氨酯树脂能够改善生产使用过程中的环境。

2.采用乙烯基硅氧烷同甲基丙烯酸甲酯嵌段共聚得到的丙烯酸树脂能够提高粘结层在使用过程中的疏水性,减少氢氟酸对半导体的腐蚀,同时紫外光照射时收缩较快,减少解粘时间。

3、添加玻璃微珠可以减少胶黏剂的使用量,且玻璃微珠在涂布的过程中会逐渐沉降,聚集在粘结层底部,当紫外光照射进行固化时,光线透过玻璃微珠照射在粘结层与半导体的结合面,解粘效率更高,减少了紫外光强度上的损失。

具体实施方式

为了使本技术领域人员更好地理解本发明的技术方案,并使本发明的上述特征、目的以及优点更加清晰易懂,下面结合实施例对本发明做进一步的说明。实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。

本发明下述实施例中所使用的可降解基膜来自于天津国韵生物科技有限公司,厚度为100微米。

本发明下述实施例中所使用的水性聚氨酯来自于烟台万华公司1650。

本发明下述实施例中所使用的丙烯酸树脂来自于烟台万华公司6318

本发明下述实施例中所使用的玻璃微珠来自旭阳玻璃制品有限公司。

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