[发明专利]像素结构及其制备方法、显示屏和显示装置在审
| 申请号： | 201810531879.0 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110098221A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡小龙 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 林青中 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素 弧形凹陷状 显示屏 像素结构 像素界定层 显示装置 基板 制备 蓝色像素 像素单元 应用场景 整体寿命 反射角 解析度 可视角 中蓝色 收窄 开口 保密 应用 | ||
1.一种像素结构，其特征在于，包括：
基板；
像素界定层，形成于所述基板上，所述像素界定层上设有多个像素坑，至少部分的所述像素坑的底部呈弧形凹陷状。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，多个所述像素坑的底部均呈弧形凹陷状。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素坑的底部的曲率半径为50μm～1000μm。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素界定层的厚度为50nm～5000nm。
5.根据权利要求1～4任一项所述的像素结构，其特征在于，还包括设于所述像素坑内的像素电极，所述像素电极的上表面呈相应的弧形凹陷状且不高于所述像素界定层的上表面。
6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述像素界定层上还设有与每个所述像素坑相邻的过孔，所述过孔内也设有像素电极，所述过孔内的像素电极与所述像素坑内的像素电极连接，且不高于所述像素界定层的上表面设置。
7.一种像素结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取基板；
于所述基板上沉积一层像素界定层；
于所述像素界定层上形成多个像素坑，至少部分的所述像素坑的底部设置呈弧形凹陷状。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，还包括在所述像素界定层上设有与每个所述像素坑相邻的过孔的步骤；于所述像素界定层上形成像素坑及相邻的过孔的步骤均采用压印法同时成型。
9.一种显示屏，其特征在于，包括子像素及权利要求1～6任一项所述的像素结构，所述子像素设于所述像素坑中。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示屏。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东聚华印刷显示技术有限公司，未经广东聚华印刷显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810531879.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：像素界定结构及发光器件的制作方法
- 下一篇：有机发光显示设备及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
