[发明专利]用于对半导体衬底进行表面织构化的设备和方法

权利要求书

1.一种用于对半导体衬底(3)进行表面织构化的设备(1)，所述设备(1)包括：

-第一工艺槽(11)，被构造为容纳第一工艺液体，并且被构造为借助所述第一工艺液体将银颗粒沉积在所述半导体衬底(3)的表面上并通过基于银的金属催化剂化学刻蚀在半导体衬底(3)的表面上形成大量的孔洞，所述孔洞中包含所述银颗粒，

-第二工艺槽(12)，被构造为容纳第二工艺液体，并且被构造为在存在所述银颗粒的情况下借助所述第二工艺液体对所述孔洞进行碱性刻蚀，以形成所述半导体衬底(3)的倒金字塔型织构化的表面结构，

-清洁装置(13)，被构造为借助清洁液体对所述倒金字塔型织构化的表面结构实施至少一次清洁以去除所述银颗粒。

2.按照权利要求1所述的设备(1)，其特征在于，所述第一工艺液体包含氢氟酸(HF)、硝酸(HNO₃)和硝酸银(AgNO₃)；优选地，所述第一工艺液体包含10重量％至25重量％、尤其是12重量％至20重量％的氢氟酸、12重量％至25重量％、尤其是15重量％至22重量％的硝酸和0.0001重量％至0.05重量％、尤其是0.001重量％至0.015重量％的硝酸银；优选地，所述第一工艺液体包含少于5重量％、尤其少于1重量％、并且尤其为0重量％的过氧化氢；优选地，所述第一工艺液体具有温度T1，其中：6℃≤T1≤40℃、尤其是8℃≤T1≤30℃；优选地，所述孔洞具有50nm至300nm之间、尤其100nm至200nm之间的最大尺寸。

3.按照权利要求1所述的设备(1)，其特征在于，所述设备(1)被构造为使半导体衬底(3)在第一工艺液体中停留0.5-4分钟。

4.按照权利要求1所述的设备(1)，其特征在于，所述半导体衬底(3)带有被锯割形成的表面结构，所述第一工艺槽(11)被构造为另外还借助所述第一工艺液体去除所述被锯割形成的表面结构，优选地去除0.5至4.0μm/面的被锯割形成的表面结构。

5.按照权利要求1所述的设备(1)，其特征在于，所述第二工艺液体包含碱性液体和表面润湿剂，所述碱性液体尤其包含氢氧化钾(KOH)和/或氢氧化钠(NaOH)；优选地，所述第二工艺液体包含0.01重量％至4重量％、尤其是0.05重量％至1.5重量％的氢氧化钾或0.01重量％至3重量％、尤其是0.025重量％至1.5重量％的氢氧化钠并且包含0.1重量％至5重量％、尤其是0.2重量％至2.5重量％的表面润湿剂；优选地，所述第二工艺液体具有温度T2，其中：50℃≤T2≤100℃、尤其是55℃≤T2≤95℃；优选地，所述倒金字塔型织构化的表面结构通过第一构造元件构成，其中至少70％的第一构造元件具有50nm至600nm之间、尤其150nm至400nm之间的最大尺寸。

6.按照权利要求1所述的设备(1)，其特征在于，所述设备(1)被构造为使半导体衬底(3)在第二工艺液体中停留0.2-2分钟。

7.按照权利要求1所述的设备(1)，其特征在于，所述清洁液体包含硝酸、尤其是10重量％至70重量％、尤其是20重量％至70重量％的硝酸；优选地，所述清洁液体具有温度TR，其中：20℃≤TR≤65℃、尤其是23℃≤TR≤60℃。

8.按照权利要求1所述的设备(1)，其特征在于，所述设备(1)被构造为使半导体衬底(3)在清洁液体中停留0.5-3分钟。

9.按照权利要求1所述的设备(1)，其特征在于，所述清洁装置(13)具有带有清洁液体的清洁槽，其中所述清洁装置(13)具有多个先后布置的喷淋单元用于向所述预织构化的表面结构上喷淋清洁液体，所述多个先后布置的喷淋单元尤其分别布置在清洁槽内部和/或上方。