[发明专利]实现写入前擦除的方法、装置、计算机设备及存储介质

权利要求书

1.实现写入前擦除的方法，其特征在于，所述方法包括：

在SMT时向NAND Flash中写入出厂坏块表和固件；

记录写入点以及相关信息；

根据记录的写入点以及相关信息进行数据的写前擦处理；

根据记录的写入点以及相关信息进行数据的写前擦处理的步骤，包括以下具体步骤：

根据记录的写入点以及相关信息判断擦除单元是否为刚结束擦除的单元；

若是，则使用快速填充命令对该单元进行随机数填充；

若否，则判断记录的写入点是否小于阈值；

若是，则将TLC区域中的数据搬移至SLC区域内；

擦除TLC擦除单元；

使用快速填充命令进行随机数填充TLC擦除单元；

若否，则对开放状态的TLC擦除单元填充仿造的数据。

2.根据权利要求1所述的实现写入前擦除的方法，其特征在于，在SMT时向NAND Flash中写入出厂坏块表和固件的步骤，包括以下具体步骤：

进行硬件自检，扫描出厂坏块，下载BIST程序，并向擦除单元0\1写入模式；

进行硬件自检，进行全盘读写擦测试，并对测试结果进行统计；

进行硬件自检，检查全盘读写擦测试结果，并上传至主机，检查擦除单元0\1中的模式、擦除Nor flash中的BIST程序，并向Nor flash写入BootLoader，向NAND flash写入固件。

3.根据权利要求1所述的实现写入前擦除的方法，其特征在于，记录写入点以及相关信息的步骤中，所述相关信息包括每个计划正在操作的擦除单元的标志以及最后一次操作的时间。

4.根据权利要求1所述的实现写入前擦除的方法，其特征在于，在安全关机时根据记录的写入点以及相关信息进行数据的写前擦处理的步骤之后，还包括：

在SSD使用过程中，记录每次写操作完成时的时间；

使用中断方式，每隔一段时间获取擦除单元保持开放或处于已擦除状态的时间；

判断获取的时间是否超过设定的阈值；

若否，则返回所述使用中断方式，每隔一段时间获取擦除单元保持开放或处于已擦除状态的时间的步骤；

若是，则返回根据记录的写入点以及相关信息进行数据的写前擦处理的步骤。

5.根据权利要求4所述的实现写入前擦除的方法，其特征在于，所述判断获取的时间是否超过设定的阈值的步骤中，所述阈值Tth采用以下公式计算：其中，Tref表示擦除单元保持开放或处于已擦除状态的时间参考阈值，Twl表示考虑磨损均衡的参考时间阈值，max表示所有擦除单元中擦写次数最大值，min表示所有擦除单元中擦写次数最小值，_kε是表示SSD系统响应能力的常数。

6.实现写入前擦除的装置，其特征在于，包括写入单元、记录单元以及写前擦处理单元；

所述写入单元，用于在SMT时向NAND Flash中写入出厂坏块表和固件；

所述记录单元，用于记录写入点以及相关信息；

所述写前擦处理单元，用于根据记录的写入点以及相关信息进行数据的写前擦处理；

所述写前擦处理单元包括状态判断模块、快速填充模块、写入点判断模块、搬移模块、擦除模块、随机填充模块以及仿造填充模块；

所述状态判断模块，用于根据记录的写入点以及相关信息判断擦除单元是否为刚结束擦除的单元；

所述快速填充模块，用于若是，则使用快速填充命令对该单元进行随机数填充；

所述写入点判断模块，用于若否，则判断记录的写入点是否小于阈值；

所述搬移模块，用于若是，则将TLC区域中的数据搬移至SLC区域内；

所述擦除模块，用于擦除TLC擦除单元；

所述随机填充模块，用于使用快速填充命令进行随机数填充TLC擦除单元；

所述仿造填充模块，用于若否，则对开放状态的TLC擦除单元填充仿造的数据。