[发明专利]一种氮化铝晶体的制备方法

权利要求书

1.一种高纯半绝缘碳化硅衬底生长氮化铝晶体的方法，其特征在于：

（a）高纯半绝缘碳化硅衬底粘结，采用粘结剂先在衬底托上涂抹均匀，在此过程中控制温度在20～150℃之间，在将高纯半绝缘碳化硅衬底粘结在衬底托上；粘结完毕后，将其放置在高温真空炉中，同时在衬底托上施压8～15Kg的规则物体；均匀升温至750～850℃实施预烧结处理，以使粘结剂固化；

（b）首先将高纯氮化铝粉料置于坩埚内，再将粘结完毕的高纯半绝缘碳化硅衬底置于坩埚上部，形成氮化铝单晶生长室；在晶体生长过程中压力105～130KPa、温度1840～2000℃、N₂气流500~800sccm、NH₃气流5~15sccm，晶体生长时间20～150h；

（c）异质衬底的剥离，先将晶体层与衬底托分离，再将晶体层中的高纯半绝缘碳化硅衬底层去除，最终获得氮化铝单晶锭。

2.根据权利要求1高纯半绝缘碳化硅衬底生长氮化铝晶体的方法，其特征在于,步骤（a）采用高纯半绝缘碳化硅衬底、（0001）晶面0~6°的倾角的Si面或C面生长氮化铝单晶。

3.根据权利要求1高纯半绝缘碳化硅衬底生长氮化铝晶体的方法，其特征在于,步骤（a）的衬底粘结在衬底托上，其中衬底托材质不限。

4.根据权利要求1高纯半绝缘碳化硅衬底生长氮化铝晶体的方法，其特征在于,步骤（b）的晶体生长用坩埚为表层为碳化钽层的坩埚结构或钨材质的坩埚结构。

5.根据权利要求1高纯半绝缘碳化硅衬底生长氮化铝晶体的方法，其特征在于,步骤（c）的氮化铝晶体的获取过程，先将晶体层与衬底托首先分离；再通过机械加工或气相升华方式将氮化铝晶体层与高纯半绝缘碳化硅衬底层分离。