[发明专利]一种新型的单相微波介质陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种单相Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃介质陶瓷材料，其特征在于，包括：Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃以及玻璃添加剂，

所述玻璃添加剂的组成为：B₂O₃ 80～94wt%、MgO 5～18wt%、P₂O₅ 1～2wt%；

所述单相Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃介质陶瓷材料的组成为：BaO：47.5～49wt%、MgO：4.3～5 wt%、Ta₂O₅：46～47.5 wt %，B₂O₃ 0.3～1.0 wt %、P₂O₅ 0.05～0.25 wt‰，各组成的质量百分比之和为100%；

所述玻璃添加剂相对于Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃和玻璃添加剂的总质量的百分比为0.4%～1%；

所述的单相Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃介质陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：

a）制备具有所述玻璃添加剂组成的玻璃粉体，粒度为D901um；

b）将MgO源碱式MgCO₃·5H₂O、Ta₂O₅源Ta₂O₅和所得玻璃粉体按配比混合，制成混合料，900～1100℃下煅烧2～4小时合成为MT合成料，所述MT合成料为镁钽相MgTa₂O₆；

c）将BaO源和所得MT合成料按配比混合，制成混合料，并煅烧合成为BMT合成料；

d）将所得BMT合成料造粒、成型，烧结成所述单相Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃介质陶瓷材料。

2.根据权利要求1所述的单相Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃介质陶瓷材料，其特征在于，所述单相Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃介质陶瓷材料的介电常数在23～25，谐振温度系数在-1～6ppm/℃内连续可调，品质因数Qf值170000 GHz。

3.根据权利要求1所述的单相Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃介质陶瓷材料，其特征在于，所述的制备方法步骤a）中，将B₂O₃源、MgO源和P₂O₅源按配比混合，熔制成玻璃液，淬冷成碎玻璃，再磨成玻璃粉体；熔制温度为1300～1400℃，熔制时间为2～4小时。

4.根据权利要求1所述的单相Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃介质陶瓷材料，其特征在于，所述的制备方法步骤b）中，混合料颗粒的粒度D50在1～3um。

5.根据权利要求1所述的单相Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃介质陶瓷材料，其特征在于，所述的制备方法步骤c）中，BaO源为BaCO₃，混合料颗粒的粒度D50在1～3um，煅烧合成制度为按5～10℃/分钟升温至1100～1300℃，保温4～6小时。

6.根据权利要求1所述的单相Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃介质陶瓷材料，其特征在于，所述的制备方法步骤d）中，烧结温度为1550～1650℃。

7.根据权利要求1所述的单相Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃介质陶瓷材料，其特征在于，所述的制备方法步骤d）中，烧结制度为按5～10℃/min升温至1550～1650℃，保温4～6小时，再按1～5℃/min降至1200～1250℃结束。