[发明专利]一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法

说明书

本发明公开了一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法，以改善显示基板上薄膜晶体管的性能。显示基板包括：衬底基板以及沿远离衬底基板方向依次设置的氧化物诱导层和多晶硅层，其中：多晶硅层包括源极连接区、漏极连接区、位于源极连接区和漏极连接区之间的沟道区，以及位于源极连接区和沟道区之间的第一浅掺杂区和位于漏极连接区和沟道区之间的第二浅掺杂区；氧化物诱导层包括与源极连接区对应的第一部分、与漏极连接区对应的第二部分，以及与沟道区对应的第三部分，第三部分与第一部分和第二部分分别间隔设置。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是场效应晶体管的种类之一，主要应用于平板显示装置中。在现有平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)以及正在普及的有机发光二级管显示器(Active-matrix organic light emitting diode，简称AMOLED)在现有的平板显示器市场占据了主导地位。根据用作半导体层的硅的种类，TFT可概括地分成：利用由非晶硅组成的半导体膜的TFT，以及利用由具有结晶相的多晶硅组成的半导体膜的TFT。由于多晶硅制成的半导体具有比非晶硅制成的半导体的载流子迁移率大，因而在TFT器件中使用多晶硅作为有源层可以提升TFT器件性能。

低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)是多晶硅的一个分支，一般由非晶硅通过准分子激光退火(Excimer Laser Annealing，简称ELA)晶化得到。低温多晶硅在制作时，使用准分子激光照射非晶硅膜层，非晶硅膜层表面融化后热量会继续向下传递，整个膜层近于全融状态，此时底层的非晶硅颗粒作为籽晶向水平方向与垂直方向生长，获得较大尺寸晶粒。

现有技术存在的缺陷在于，采用ELA晶化工艺得到低温多晶硅具有一定比例的晶界等缺陷，致使多晶硅TFT载流子迁移率远远小于大单晶硅TFT载流子迁移率，为满足器件性能对TFT性能不断提升的需求，提升现有低温多晶硅TFT载流子迁移率具有较大意义。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法，以改善显示基板上TFT器件的性能。

本发明实施例提供的一种显示基板，包括衬底基板以及沿远离所述衬底基板方向依次设置的氧化物诱导层和多晶硅层，其中：

所述多晶硅层包括源极连接区、漏极连接区、位于所述源极连接区和所述漏极连接区之间的沟道区，以及位于所述源极连接区和所述沟道区之间的第一浅掺杂区和位于所述漏极连接区和所述沟道区之间的第二浅掺杂区；

所述氧化物诱导层包括与所述源极连接区对应的第一部分、与所述漏极连接区对应的第二部分，以及与所述沟道区对应的第三部分，所述第三部分与所述第一部分和所述第二部分分别间隔设置。

采用本发明上述实施例的技术方案，由于氧化物诱导层具有良好的结晶取向，在结晶过程中有利于晶粒的生长，所以形成的多晶硅层具有更高的晶化率，改善了显示基板上TFT器件的性能。

可选的，所述氧化物诱导层材质为MgO或SiO₂。

可选的，所述氧化物诱导层材质为MgO，厚度为

较佳的，所述的阵列基板还包括：位于所述衬底基板与所述氧化物诱导层之间的缓冲层。

可选的，所述缓冲层材质为SiN_X或SiO_X。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括前述任一技术方案所述的显示基板。由于显示基板的TFT性能较佳，因此，显示装置也具有较佳的产品品质。