[发明专利]可降低导通电阻提高运行可靠性的GaN HEMT器件在审
| 申请号： | 201810433273.3 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108493233A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 任永硕;王荣华 | 申请（专利权）人： | 大连芯冠科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 闪红霞 |
| 地址： | 116023 辽宁省大连市沙河口区高新*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质钝化层 漏电极 源电极 栅电极 运行可靠性 导通电阻 沟道层 势垒层 通孔 穿过 势垒层表面 矩阵排列 扩展电极 上表面 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种可降低导通电阻提高运行可靠性的GaN HEMT器件，由下至上依次为衬底（1）、缓冲层（2）、沟道层（3），在沟道层（3）上有InxAlyGa1-x-yN势垒层（4）、源电极（5）、漏电极（6）以及栅电极（7），其特征在于：所述InxAlyGa1-x-yN势垒层（4）由矩阵排列的多个环组成，环的外侧是覆盖于沟道层（3）上的源电极（5），环的内侧是覆盖于沟道层（3）上的漏电极（6），在InxAlyGa1-x-yN势垒层（4）、源电极（5）及漏电极（6）上有第一介质钝化层（21），所述栅电极（7）是位于第一介质钝化层（21）上且置于源电极（5）及漏电极（6）之间的环形，栅电极（7）的下部穿过第一介质钝化层（21）至InxAlyGa1-x-yN势垒层（4）表面，在所述第一介质钝化层（21）及栅电极（7）的上表面覆有第二介质钝化层（22），在所述漏电极（6）上有穿过第一介质钝化层（21）及第二介质钝化层（22）的通孔，在通孔内及第二介质钝化层（22）上有扩展电极（23）。
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