[发明专利]一种显示面板、其制作方法及显示装置有效
| 申请号: | 201810427174.4 | 申请日: | 2018-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN110459559B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 杨盛际;董学;陈小川;王辉;卢鹏程 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板、其制作方法及显示装置,该显示面板,包括:衬底基板,位于衬底基板之上的呈阵列排布的多个像素;每一个像素包括多个子像素;每一个子像素,包括:位于衬底基板之上的反射单元,位于反射单元之上的第一电极,位于第一电极之上的发光单元,以及位于发光单元之上的第二电极;在每一个像素中,各子像素的发光单元的结构相同,且各子像素对应的微腔腔长不同;微腔腔长为反射单元背离衬底基板的一侧与第二电极靠近衬底基板的一侧之间的距离。该显示面板,反射单元与第二电极之间构成了微腔结构,且每一个像素中,各子像素对应的微腔腔长不同,实现了对单个子像素的光调制,提高了显示面板的色域和亮度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
目前,微显示器具有广阔的市场应用空间,特别适合应用于头盔显示器、立体显示镜以及眼镜式显示器等,如与移动通讯网络、卫星定位等系统联在一起则可在任何地方、任何时间获得精确的图像信息,这在国防、航空、航天乃至单兵作战等军事应用上具有非常重要的军事价值。
微显示器具有多种类型,其中,硅基有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode,OLED)微显示器处于微电子技术和光电子技术的交叉点上,涉及的内容非常广泛,包括光电子学、微电子学、电子信息学和光学等领域,是一个涉及物理学、化学、材料学和电子学等多学科的研究领域。OLED技术和互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)技术的结合,是光电子产业和微电子产业的交叉集成,促进了新一代的微型显示的发展,也推进了硅上有机电子,甚至是硅上分子电子的研究和发展。相比于数字微镜显示器(Digital MicroMirror Device,DMD)和硅基液晶(Liquid crystalon silicon,LCOS)微显示器,硅基OLED微显示器拥有亮度高、色彩丰富、驱动电压低、响应速度快、功耗低等非常优秀的显示特性,具有非常优秀的用户体验,且OLED是一种全固态型器件,抗震性能好,工作温度范围宽(-40℃~85℃),适合于军事和特殊应用,其亦属于自发光器件,不需要背光源,视角范围大,厚度薄,有利于减小系统体积,尤其适用于近眼显示系统。
将OLED微显示器应用于增强现实(Augmented Reality,AR)显示技术中,其显示屏幕要求最核心的产品指标就是亮度,因为AR产品在不同的工作环境和场景下需要调节自身屏体亮度,来实现适宜人眼的感官体验,尤其是在户外直对太阳这种模式下,需要我们提高器件亮度。而且,OLED作为微显示应用时,由于FMM的限制,无法实现高PPI,因而现有的全彩或技术均采用白光+彩膜的方式。而白光+彩膜的全彩化形式限制了OLED本身色域较高的优势,白光+彩膜的色域约为80%,而real RGB的色域均大于100,因此,如何提高OLED显示器的亮度和色域非常重要。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板、其制作方法及显示装置,用以解决现有技术中存在的无法提高OLED显示器的亮度和色域的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板之上的呈阵列排布的多个像素;
每一个所述像素包括多个子像素;
每一个所述子像素,包括:位于所述衬底基板之上的反射单元,位于所述反射单元之上的第一电极,位于所述第一电极之上的发光单元,以及位于所述发光单元之上的第二电极;
在每一个所述像素中,各所述子像素的所述发光单元的结构相同,且各所述子像素对应的微腔腔长不同;所述微腔腔长为所述反射单元背离所述衬底基板的一侧与所述第二电极靠近所述衬底基板的一侧之间的距离。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示面板中,还包括:位于所述反射单元的反射表面与所述第一电极的下表面之间的绝缘层;
在每一个所述像素中,各所述子像素对应的所述绝缘层的厚度不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





