[发明专利]一种无刷直流电机消磁控制装置及方法在审

专利信息
申请号: 201810415134.8 申请日: 2018-05-03
公开(公告)号: CN108599639A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 魏海峰 申请(专利权)人: 魏海峰
主分类号: H02P6/182 分类号: H02P6/182
代理公司: 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 代理人: 刘立春
地址: 212021 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 无刷直流电机 吸收电路 消磁控制装置 电枢绕组 电机 反电势过零检测 三相电枢绕组 电能储存 控制装置 无传感器 自感现象 自感效应 电容 逆变器 导通 电路
【权利要求书】:

1.一种无刷直流电机消磁控制装置,其特征在于:所述控制装置包括逆变器、电机三相电枢绕组、第一吸收电路(1)、第二吸收电路(2)及第三吸收电路(3);其中,所述逆变器依次由3对MOS管桥臂连接而成,所述逆变器输出连接至电机三相电枢绕组;所述第一吸收电路(1)一端连接至A相绕组,另一端连接至电枢绕组中性点;所述第二吸收电路(2)一端连接至B相绕组,另一端连接至电枢绕组中性点;所述第三吸收电路(3)一端连接至C相绕组,另一端连接至电枢绕组中性点。

2.如权利要求1所述的无刷直流电机消磁控制装置,其特征在于:所述第一吸收电路(1)由IGBT11、IGBT12、电阻R11、电阻R12及电容C11组成,其中IGBT12与电阻R12串联构成第一串联电路,电容C11并联至所述第一串联电路两端构成第一并联电路,电阻R11与IGBT11串联后串联至所述第一并联电路;所述第二吸收电路(2)由IGBT21、IGBT22、电阻R21、电阻R22及电容C21组成,其中IGBT22与电阻R22串联构成第二串联电路,电容C21并联至所述第二串联电路两端构成第二并联电路,电阻R21与IGBT21串联后串联至所述第二并联电路;所述第三吸收电路(3)由IGBT31、IGBT32、电阻R31、电阻R32及电容C31组成,其中IGBT32与电阻R32串联构成第三串联电路,电容C31并联至所述第三串联电路两端构成第三并联电路,电阻R31与IGBT31串联后串联至所述第三并联电路。

3.如权利要求2所述的无刷直流电机消磁控制装置,其特征在于:所述电容C11、电容C21及电容C31均为聚酯电容。

4.如权利要求1所述的无刷直流电机消磁控制装置,其特征在于:所述第一吸收电路(1)、第二吸收电路(2)及第三吸收电路(3)用于消耗电机绕组由自感现象产生的电能。

5.如权利要求2所述的无刷直流电机消磁控制装置的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、电机刚启动时,得到三相绕组其中任意一相停止导通至该相反电势过零的时间为T;

步骤二、电机换相期间,A相绕组由导通变为不导通时,第一吸收电路(1)工作,工作时间为T,T时间内IGBT11导通,IGBT12关断,A相绕组由自感现象产生的电能存储在电容C11上;T时间结束后,第一吸收电路(1)停止工作,IGBT11关断,IGB12导通,第一吸收电路(1)工作期间储存在电容C11上的电能释放并消耗在电阻R12上;

B相绕组由导通变为不导通时,第二吸收电路(2)工作,工作时间为T,T时间内IGBT21导通,IGBT22关断,B相绕组由自感现象产生的电能存储在电容C21上;T时间结束后,第二吸收电路(2)停止工作,IGBT21关断,IGBT22导通,第二吸收电路(2)工作期间储存在电容C21上的电能释放并消耗在电阻R22上;

C相绕组由导通变为不导通时,第三吸收电路(3)工作,工作时间为T,T时间内IGB31导通,IGBT32关断,C相绕组由自感现象产生的电能存储在电容C31上;T时间结束后,第三吸收电路(3)停止工作,IGBT31关断,IGB32导通,第三吸收电路(3)工作储存在电容C31上的电能释放并消耗在电阻R32上;

电机换相期间不断重复上述步骤。

6.根据权利要求5所述的无刷直流电机消磁控制方法,其特征在于:所述IGBT11、IGBT12、IGBT21、IGBT22、IGBT31及IGBT32均由DSP控制。

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