[发明专利]聚乳酸基环丙沙星抗菌薄膜的制备方法在审
| 申请号: | 201810411002.8 | 申请日: | 2018-05-02 |
| 公开(公告)号: | CN110438455A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
| 发明(设计)人: | 江晓红;李贝贝;何纯;肖金涛;周兵兵;许正巍 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
| 主分类号: | C23C14/30 | 分类号: | C23C14/30;C23C14/12 |
| 代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 刘海霞 |
| 地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 环丙沙星 抗菌薄膜 聚乳酸基 制备 基底 局部炎症反应 电子束沉积 反应腔室 工作电流 工作电压 厚度可控 人工假体 致密性好 抽真空 低功率 结合力 聚乳酸 抗菌性 靶材 镀膜 洁净 移植 | ||
本发明公开了一种聚乳酸基环丙沙星抗菌薄膜的制备方法。所述方法将环丙沙星粉末与聚乳酸混合均匀,置于反应腔室,调整靶材与洁净的基底的距离为20~30cm,抽真空,镀膜,设置工作电流在7~9A,工作电压在0.8~1.8kV,采用低功率电子束沉积技术制备得到聚乳酸基环丙沙星抗菌薄膜。本发明制得的抗菌薄膜与基底的结合力强,致密性好,膜厚度可控,具有良好的抗菌性,可以用于人工假体的移植,消除局部炎症反应。
技术领域
本发明属于抗菌薄膜的制备技术领域,涉及一种采用低功率电子束沉积技术的聚乳酸基环丙沙星抗菌薄膜的制备方法。
背景技术
聚乳酸(PLA)热稳定性好、生产过程无污染、具有良好的生物相容性和可降解性,还具有一定的抗菌性,应用广泛,如用于包装材料、注塑、生物医药等方面,是一种理想的绿色高分子材料。
环丙沙星具有广泛的抗菌作用,对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌、绿脓杆菌等具有良好的抗菌效果。
低功率电子束沉积技术的原理是一束电子通过5-10kV的电场后被加速,最后聚集到待蒸发材料的表面,当电子束打到待蒸发材料的表面时,电子会迅速损失自己的能量,将能量传递给待蒸发材料使其熔化并蒸发。电子束蒸发是制备高熔点和高纯度薄膜的主要方法,并且功率调节范围广,使用方便。磁控溅射与电子束沉积技术制备的PLA基复合薄膜相比,磁控溅射镀膜过程中会形成电荷积累,而导致电位升高,当电位升高到一定程度时,会导致辉光放电停止,进而产生靶材“中毒”的现象,这种现象使得等离子体不稳定,使溅射得到的PLA基抗菌薄膜不均匀,且缺陷较多([1]李国斌,等.白炭黑的制备技术研究进展[J].华工科技,2014,22(5):57-60;[2]王鸿博,等.PLA基纳米结构银薄膜的抗茵性能[J].纺织学报,2008,29(6):52-55.)。Nguyen等采用同轴静电纺丝技术制备聚乳酸/壳聚糖复合纳米纤维材料,对大肠杆菌的抗菌实验显示,在最初的12h,聚乳酸/壳聚糖纳米复合纤维材料能完全抑制细菌生长,但之后,细菌开始逐渐生长,抑菌持久性差(李顺江等.聚乳酸基抗菌材料研究进展[J].应用化工,2014,43(5):916-918.)。
发明内容
本发明的目的在于提供一种薄膜与基底的结合力强、致密性好的聚乳酸基环丙沙星抗菌薄膜的制备方法,该方法能够在室温条件下沉积纯度高的高分子薄膜。
实现本发明目的的技术方案如下:
聚乳酸基环丙沙星抗菌薄膜的制备方法,具体步骤如下:
将环丙沙星粉末与聚乳酸混合均匀,置于反应腔室,调整靶材与洁净的基底的距离为20~30cm,抽真空,镀膜,设置工作电流在7~9A,工作电压在0.8~1.8kV,采用低功率电子束沉积技术制备得到聚乳酸基环丙沙星抗菌薄膜。
优选地,所述的基底选自钛片或硅片。
优选地,所述的聚乳酸与环丙沙星的质量比为1:1。
优选地,所述的抽真空时,真空度达到6×10-3~8×10-3Pa。
与现有的技术相比,本发明具有以下优点:
(1)电子束蒸发具有更高的能量密度,可以蒸发高熔点的材料,并且蒸发速度快,得到的薄膜纯度高;
(2)电子束蒸发粒子的动能大,制得的抗菌薄膜与基底的结合力强,致密性好;
(3)电子束蒸发时,薄膜厚度可以根据自带的膜厚仪在沉积的过程中测量,便于控制成膜厚度;
(4)制备的薄膜材料具有良好的抗菌性,可以用于人工假体的移植,消除局部炎症反应。
附图说明
图1是基底为Ti片时,复合膜(PLA:环丙沙星=1:1)对金黄色葡萄球菌的抗菌效果图;
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