[发明专利]一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘

说明书

本发明涉及一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，该加热盘包括，带有加热底座的基体，底座上设有加热装置；所述的底座下设有连接块，连接块上设有降温结构及密封结构。该加热盘从提高射频导通能力及密封效果两方面入手，通过合理的加热盘结构设计及材料选择，提高了射频导通面积，改善了热量传递，同时合理布置并增加了冷却液流动空间，减少从加热盘表面传导到连接块的热量，降低了密封圈的受热温度，提高了其密封效果，起到了优良的真空与大气隔绝能力。两种功能的改善最终提高了薄膜沉积质量。因此本方案是一种更加高效的半导体成膜用加热盘。

技术领域

本发明涉及一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。

背景技术

目前，在半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，加热盘的射频导通以及基体冷却效果并不显著，冷却效果不显著进而会导致密封效果不达标，未能给反应腔提供一个良好的真空环境。现阶段，对于传统的加热盘，用于导通射频的线圈以及用于密封的O型密封圈都放置在同一且作用空间狭小的位置，射频导通有效面积过小影响薄膜沉积效果，同时冷却液流动区域位于加热盘底座及O型密封圈下部，这样加热盘底座的热量是先通过O型密封圈然后再传导至冷却区域，使得冷却液未能对热量进行有效隔绝，过高的温度长时间作用于O型密封圈，导致密封效果不满足要求，同样也影响了薄膜沉积效果。因此一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘就成为半导体薄膜沉积应用及制造技术关注的重点。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供了一种提高射频导通能力及密封效果的加热盘，包括，带有加热底座的基体，底座上设有加热装置；所述的底座下连接设有连接块，连接块内设有降温结构及密封结构。

进一步地，所述的加热装置，为铺设在底座上的加热丝，所述加热丝与电源连接。

进一步地，所述的降温结构为可供冷却液循环流通的管道。

进一步地，所述的管道是通过以下结构形成的，即连接块上设有连接块外面体、内面体及底部，内、外面体及底部配合形成的冷却液流通管道，同时在连接块底部设有与冷却液流通管道相通的入口冷却水管与出口冷却水管。

进一步地，在连接块的外面体上设有两圈环形分布的垫圈，两圈垫圈设置用于增加射频导通面积，是卡在连接块外面体上。

进一步地，在加热底座下部设有一内部为空腔的支撑柱，连接块的上部置于支撑柱内，连接块底部周围向外凸起形成一圈凸台，支撑柱底部置于凸台上，并于与凸台通过螺栓连接固定。为了防止进行螺栓固定时，破坏连接块底面，这时我们在连接块底部在连接块的下部上设有一层平垫圈，平垫圈防止安装螺钉时划伤连接块表面。

进一步地，密封结构具体为，在凸台上，与支撑柱(同时也是基体)底部接触处设有一圈凹进卡槽，O型密封圈设置在卡槽内，O型密封圈的上部与支撑柱底部接触，对支撑柱与连接块接触处实现密封。

进一步地，所的加热盘底座的材质为金属镍或者金属镍合金。

该加热盘从提高射频导通能力及密封效果两方面入手，通过合理的加热盘结构设计及材料选择，提高了射频导通面积，改善了热量传递，同时合理布置并增加了冷却液流动空间，减少从加热盘表面传导到连接块的热量，降低了密封圈的受热温度，提高了其密封效果，起到了优良的真空与大气隔绝能力。两种功能的改善最终提高了薄膜沉积质量。因此本申请专利是一种更加高效的半导体成膜用加热盘。

附图说明

图1是本发明的一个实施例的二维结构示意图；

图2是加热盘基体内部结构图；

图3是连接块二维剖面图；

图4是连接块三维图；

图5是射频传导路线图；

图6是本发明的一个实施例的二维结构示意图；