[发明专利]一种吡嗪荧光晶体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种吡嗪荧光晶体材料，其特征在于，包括以下重量组份：碘化铜2-4份，碘化银3-5份，氯化银2-5份，金属硫化物12-18份，吡嗪3-6份，卟啉2-4份，活性剂3-7份，稀土元素氧化物9-13份和辅助剂5-8份。

2.根据权利要求1所述的一种吡嗪荧光晶体材料，其特征在于，所述金属硫化物为硫化镁，硫化钙，硫化钡或硫化锌中的一种或者多种的组合。

3.根据权利要求1或2所述的一种吡嗪荧光晶体材料，其特征在于，所述活性剂包括碱式碳酸镁和三羟甲基乙烷。

4.根据权利要求3所述的一种吡嗪荧光晶体材料，其特征在于，所述稀土元素氧化物为氧化镧，氧化铈，氧化镨，氧化钕，氧化钐或氧化铕中的一种或者多种的组合。

5.根据权利要求4所述的一种吡嗪荧光晶体材料，其特征在于，所述辅助剂包括去离子水，乙醇和稀盐酸。

6.一种如权利要求1-5任一所述的吡嗪荧光晶体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：浸渍，将碘化铜，碘化银和氯化银材料放入反应釜中，加入辅助剂进行浸渍，浸渍时间为150-200min，反应温度控制为80-90℃，压强控制为1-3个大气压强，然后进行固液分离，将液体去除，对固体残留物进行加热烘干，将烘干的碘化铜，碘化银和氯化银颗粒取出备用；

S2：加压搅拌混合，将S1制得的碘化铜，碘化银和氯化银颗粒投入到搅拌装置中，加入吡嗪，卟啉和去离子水搅拌混合，保持搅拌装置密闭，进行加压加热处理，加热温度为200-450℃，压强控制为3-5个大气压强，反应时间为30-50min，然后加入稀土元素氧化物，并继续进行搅拌，搅拌时的转速控制为600-800r/min，搅拌20-30min至原料充分混合之后，加入活性剂进行混合搅拌5分钟，制得原始浆料；

S3：进一步混合，将S2制得的原始浆料使用造粒机进行喷浆造粒，将颗粒烘干，然后投入到研磨设备中进行研磨，在研磨的过程中加入金属硫化物，研磨时间为40-60min，研磨机转速控制为700-900r/min，然后使用筛网进行筛选，筛网为300目，符合细度要求的准备转移，不符合要求的继续进行研磨直至满足颗粒细度的要求；

S4：干燥处理，将S3筛选之后的颗粒放入到充满氮气的干燥箱中进行烘干，然后，即可制得荧光晶体材料，进行包装即可。

7.根据权利要求6所述的一种吡嗪荧光晶体材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中采用的辅助剂为质量浓度7-9％的稀盐酸。

8.根据权利要求6所述的一种吡嗪荧光晶体材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中采用的烘干方式为热气流烘干法。

9.根据权利要求6所述的一种吡嗪荧光晶体材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中的烘干时间为30-50min，烘干过程中对气体进行抽样检测，气体中含水量为0.02％以下时，即可完成烘干操作。