[发明专利]RFLDMOS器件及制造方法

权利要求书

1.一种RFLDMOS器件，包含：

在P型硅衬底上，具有轻掺杂P型外延；

在轻掺杂P型外延中，具有N型轻掺杂漂移区及P型体区，N型轻掺杂漂移区与P型体区之间为沟道区；

所述N型轻掺杂漂移区中，包含所述RFLDMOS器件的漏区，漏区表面具有金属硅化物引出所述RFLDMOS器件的漏极；

所述P型体区中包含有RFLDMOS器件的源区，以及将P型体区引出的重掺杂P型区；在重掺杂P型区及源区之上的硅表面还具有金属硅化物将两者共同引出形成所述RFLDMOS器件的源极；

所述重掺杂P型沟道连接区和RFLDMOS的源区表面覆盖一层金属硅化物引出所述RFLDMOS的源极；

在P型沟道区的硅表面上具有栅氧化层，栅氧化层上覆盖多晶硅栅极及金属硅化物；多晶硅栅极及栅氧化层两端具有栅极侧墙；

多晶硅栅极上的金属硅化物、靠漏侧的侧墙以及靠近多晶硅栅极的N型轻掺杂漂移区上均包裹介质层，介质层上覆盖金属法拉第环；

所述P型硅衬底的背面还具有背面金属以形成衬底电极；

其特征在于：

所述的N型轻掺杂漂移区是分为第一及第二两部分，第一N型轻掺杂漂移区是从多晶硅栅极下方直至包围漏区，第二N型轻掺杂漂移区靠漏区一侧是与第一N型轻掺杂漂移区的垂直投影重叠，靠多晶硅栅极一侧是不超出第一N型轻掺杂漂移区的投影范围；两部分N型轻掺杂漂移区电学相通；

所述的法拉第环为上下两层，且两层法拉第环之间以介质层隔离。

2.如权利要求1所述的RFLDMOS器件，其特征在于：所述第二N型轻掺杂漂移区距离多晶硅栅极0.4～1μm。

3.一种制造如权利要求1所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：

第1步，在P型衬底上生长P型外延；在其上方用炉管生长栅氧化层，再淀积N型重掺杂的多晶硅，或者淀积非掺杂的多晶硅再进行高剂量的N型离子注入；通过光刻加刻蚀工艺，将多晶硅刻蚀形成RFLDMOS器件的栅极结构；第2步，在光刻胶的定义下，进行第一N型轻掺杂漂移区的注入，形成第一N型轻掺杂漂移区；

第3步，在光刻胶的定义下，进行第二N型轻掺杂漂移区的注入，形成第二N型轻掺杂漂移区；

第4步，光刻打开P型体区注入窗口，进行P型离子注入，形成P型体区；再用光刻胶打开源区及漏区的注入窗口，进行RFLDMOS器件的源区及漏区的注入；在P型体区中注入形成重掺杂P型区；

第5步，通过金属硅化物工艺，在多晶硅栅极的顶部、源区、漏区以及重掺杂P型区上形成金属硅化物；

第6步，在整个硅表面淀积一层介质层，以及一层金属硅化物；通过光刻及刻蚀工艺，将金属硅化物刻蚀形成第一层法拉第环；

第7步，再在整个硅表面淀积一层介质层，以及第二层金属硅化物；通过光刻及刻蚀工艺，将第二层金属硅化物刻蚀形成第二层法拉第环；

第8步，淀积接触孔前介质，刻蚀接触孔，形成接触。

4.如权利要求3所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第1步中，P型衬底为重掺杂，电阻率为0.005～0.05ohm*cm；轻掺杂P型外延的掺杂浓度为10¹⁴～10¹⁶cm^-3；多晶硅掺杂离子为磷或砷，浓度大于10²⁰cm^-3。

5.如权利要求3所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第2步中，第一N型轻掺杂漂移区的注入能量为100～200keV，注入剂量为1E¹²～3E¹²cm^-3。

6.如权利要求3所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第3步中，第二N型轻掺杂漂移区的注入能量为200～300keV，注入剂量为0.5E¹²～2E¹²cm^-2，第二N型轻掺杂漂移区距离多晶硅栅极0.4～1μm。