[发明专利]一种气相输运法制备黑砷磷单晶的方法在审

专利信息
申请号: 201810348931.9 申请日: 2018-04-18
公开(公告)号: CN109913946A 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 刘碧录;刘明强 申请(专利权)人: 清华-伯克利深圳学院筹备办公室
主分类号: C30B29/02 分类号: C30B29/02;C30B23/02
代理公司: 深圳大域知识产权代理有限公司 44479 代理人: 何园园
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 砷磷 密封腔 单晶 输运 单晶样品 生长过程 生长机理 梯度降温 系统研究 抽真空 传输剂 高效率 可控制 单质 红磷 加热 保温
【权利要求书】:

1.一种气相输运法制备黑砷磷单晶的方法,其特征在于,所述气相输运法制备黑砷磷单晶的方法包括:将红磷、单质灰砷和传输剂混合置于密封腔的一端;对所述密封腔抽真空至10Pa以下;对所述密封腔加热、保温,然后梯度降温即在所述密封腔内得到产物。

2.根据权利要求1所述的气相输运法制备黑砷磷单晶的方法,其特征在于,所述黑砷磷的分子式为b-AsxP1-x,其中0<x<1。

3.根据权利要求2所述的气相输运法制备黑砷磷单晶的方法,其特征在于,所述0<x<0.40,所述红磷和单质灰砷的摩尔比为100:1~3:2。

4.根据权利要求2所述的气相输运法制备黑砷磷单晶的方法,其特征在于,所述0.40<x<0.83,所述红磷和单质灰砷的摩尔比为3:2~17:83。

5.根据权利要求2所述的气相输运法制备黑砷磷单晶的方法,其特征在于,所述0.83<x<1.00,所述红磷和单质灰砷的摩尔比为17:83~1:100。

6.根据权利要求1所述的气相输运法制备黑砷磷单晶的方法,其特征在于,所述传输剂为SnI4、NH4I、BiI3、I2、PbI2、Sn、NaI、KI或LiI中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的气相输运法制备黑砷磷单晶的方法,其特征在于,所述传输剂包括Sn和SnI4,二者的摩尔比为4:1~1:4。

8.根据权利要求1所述的气相输运法制备黑砷磷单晶的方法,其特征在于,所述密封腔的材质为石英、不锈钢、刚玉等高温稳定材质。

9.根据权利要求1所述的气相输运法制备黑砷磷单晶的方法,其特征在于,所述对密封腔加热、保温包括将所述密封腔加热至500~800℃,保温时间为5~120小时。

10.根据权利要求1所述的气相输运法制备黑砷磷单晶的方法,其特征在于,所述梯度降温包括:

首先以0.1~6℃/分钟进行第一阶段降温,使黑砷磷晶体自发的生长,当温度降到520~550℃时继续保温6~10小时;

再以0.4~1.0℃/分钟进行第二阶段降温,使黑砷磷晶体自发的生长,当温度降到480~500℃时继续保温8~14小时;

然后以0.4~1.0℃/分钟进行第三阶段降温到室温,即得到黑砷磷晶体。

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